- RS Best.-Nr.:
- 920-8795
- Herst. Teile-Nr.:
- STP55NF06L
- Marke:
- STMicroelectronics
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Produktdetails
N-Kanal STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 55 A |
Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
Serie | STripFET II |
Gehäusegröße | TO-220 |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 18 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung min. | 1V |
Verlustleistung max. | 95 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | –16 V, +16 V |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 27 nC @ 4,5 V |
Länge | 10.4mm |
Breite | 4.6mm |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Transistor-Werkstoff | Si |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Höhe | 9.15mm |
- RS Best.-Nr.:
- 920-8795
- Herst. Teile-Nr.:
- STP55NF06L
- Marke:
- STMicroelectronics