onsemi Power Switch IC Strommodul 1200 V max. 1 Ausg.
- RS Best.-Nr.:
- 172-3385
- Herst. Teile-Nr.:
- NXH80T120L2Q0S1G
- Marke:
- ON Semiconductor
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- Herst. Teile-Nr.:
- NXH80T120L2Q0S1G
- Marke:
- ON Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ON Semiconductor | |
| Netzschalter-Typ | Strommodul | |
| Arbeitsspannnung max. | 1200 V | |
| Anzahl der Ausgänge | 1 | |
| Betriebsstrom max. | 80A | |
| Nennleistung | 125mW | |
| Montage-Typ | Schraubmontage | |
| Gehäusegröße | Q0PACK | |
| Pinanzahl | 16 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Abmessungen | 66.2 x 32.8 x 16.05mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ON Semiconductor | ||
Netzschalter-Typ Strommodul | ||
Arbeitsspannnung max. 1200 V | ||
Anzahl der Ausgänge 1 | ||
Betriebsstrom max. 80A | ||
Nennleistung 125mW | ||
Montage-Typ Schraubmontage | ||
Gehäusegröße Q0PACK | ||
Pinanzahl 16 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Abmessungen 66.2 x 32.8 x 16.05mm | ||
Das NXH80T120L2Q0S1G ist ein Versorgungsmodul mit einem am Nullleiter geklemmten (NPC) Drei-Ebenen-Wechselrichter vom Typ T bestehend aus zwei 80 A / 1200 V Halbbrücken-IGBTs mit 40 A / 1200 V Halbbrücken-Dioden und zwei 50 A / 600 V NPC-IGBTs mit zwei 50 A / 600 V NPC-Dioden. Das Modul enthält außerdem einen integrierten Heißleiter.
NPC-IGBT, technische Daten: VCE(SAT) = 1,4 V, ESW = 560 μJ
Schneller IGBT mit niedriger VCE(SAT) für hohe Effizienz
HB-IGBT, technische Daten: VCE(SAT) = 2,05 V, ESW = 1650 μJ
Schneller IGBT mit niedriger VCE(SAT) für hohe Effizienz
Kompaktes Gehäuse, 65,9 x 32,5 x 12 mm
Geringe Systemgröße
Lötstifte
Einfache Montage
NPC-Modul Typ T mit 65 A / 1200 V und 60 A / 600 V IGBTs
Thermistor
Anwendungsbereich
Solarwechselrichter, DC/AC-Wandlerstufe
USV, DC/AC-Wandlerstufe
Solarwechselrichter
UPS
Schneller IGBT mit niedriger VCE(SAT) für hohe Effizienz
HB-IGBT, technische Daten: VCE(SAT) = 2,05 V, ESW = 1650 μJ
Schneller IGBT mit niedriger VCE(SAT) für hohe Effizienz
Kompaktes Gehäuse, 65,9 x 32,5 x 12 mm
Geringe Systemgröße
Lötstifte
Einfache Montage
NPC-Modul Typ T mit 65 A / 1200 V und 60 A / 600 V IGBTs
Thermistor
Anwendungsbereich
Solarwechselrichter, DC/AC-Wandlerstufe
USV, DC/AC-Wandlerstufe
Solarwechselrichter
UPS
