CY14B101LA-SZ25XI, NVRAM-Speicher 1MBit SMD, SOIC 32-Pin

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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Produktdetails

Nicht flüchtiger RAM, Cypress Semiconductor

20 ns, 25 ns und 45 ns Zugriffszeiten
Intern organisiert als 128 K ´ 8 (CY14B101LA) oder 64 K ´ 16 (CY14B101NA)
Automatische STORE-Funktion beim Ausschalten mit nur einem kleinen Kondensator
Nichtflüchtige Elemente von Store-to-Quantum-Trap, die durch Software, Gerätestift oder automatische Speicherung beim Ausschalten ausgelöst werden
Aufruf an SRAM durch Software oder Einschalten
Unendliche Lese-, Schreib- und RECALL-Zyklen
1 Million STORE-Zyklen für Quantum-Trap
20 Jahre Datenspeicherung
Einfacher Betrieb mit 3 V +20 % bis -10 %
Industrietemperatur
Gehäuse
32-poliger, kleiner integrierter Schaltkreis (SOIC)
44-/54-poliges dünnes Small Outline Package (TSOP) Typ II
48-poliges Schrumpfschlauchgehäuse (SSOP)
FBGA (48-Ball Fine Pitch Ball Grid Array)
Bleifrei

Nicht flüchtiger RAM-Speicher, (NVRAM)

NVRAMs sind Module, die einen CMOS-SRAM und eine nicht wiederaufladbare Lithium-Batterie enthalten, um die Daten zu erhalten, wenn das Netzteil entfernt ist. Einige Geräte dieses Produktbereichs verfügen auch über eine Echtzeituhr (RTC).

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Speicher Größe 1MBit
Organisation 128K x 8 bit
Datenbus-Breite 8bit
Zugriffszeit max. 25ns
Montage-Typ SMD
Gehäusegröße SOIC
Pinanzahl 32
Abmessungen 20.87 x 7.59 x 2.29mm
Länge 20.87mm
Breite 7.59mm
Höhe 2.29mm
Arbeitsspannnung max. 3,6 V
Betriebstemperatur max. +85 °C
Arbeitsspannnung min. 2,7 V
Betriebstemperatur min. –40 °C
Anzahl der Wörter 128K
Anzahl der Bits pro Wort 8bit
44 lieferbar innerhalb von 2 Werktag(en) (Mo-Fr).
Preis pro: Stück (In einer Stange von 22)
22,072
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