DS1225AD-70IND+, NVRAM 64kbit, EDIP 28-Pin

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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: PH
Produktdetails

10 Jahre minimale Datenspeicherung ohne externe Stromversorgung
Daten werden bei Stromausfall automatisch geschützt
Ersetzt direkt 8 k x 8 flüchtige statische RAM- oder EEPROM
Unbegrenzte Schreibzyklen
CMOS mit geringer Leistungsaufnahme
28-poliges DIP-Gehäuse
Lese- und Schreibzugriffszeiten von 70 ns
Die Lithium-Energiequelle wird elektrisch getrennt, um die Frische zu erhalten, bis zum ersten Mal Strom angelegt wird
Voller ±10 % VCC-Betriebsbereich (DS1225AD)
Optionaler ±5 % VCC-Betriebsbereich (DS1225AB)
Optionaler industrieller Temperaturbereich von -40 °C bis +85 °C, gekennzeichnet mit IND

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Speicher Größe 64kbit
Organisation 8 K x 8
Zugriffszeit max. 70ns
Montage-Typ Durchsteckmontage
Gehäusegröße EDIP
Pinanzahl 28
Abmessungen 39.37 x 18.29 x 10.67mm
Länge 39.37mm
Breite 18.29mm
Höhe 10.67mm
Arbeitsspannnung max. 5,5 V
Betriebstemperatur max. +85 °C
Anzahl der Wörter 8K
Anzahl der Bits pro Wort 8bit
Arbeitsspannnung min. 4,5 V
Betriebstemperatur min. –40 °C
69 lieferbar innerhalb von 2 Werktag(en) (Mo-Fr).
Preis pro: Stück
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