CY14B101NA-ZS45XI, NVRAM-Speicher 1MBit SMD, TSOP 44-Pin

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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: PH
Produktdetails

Der Cypress CY14B104LA/CY14B104NA ist ein schneller statischer RAM (SRAM) mit einem nicht flüchtigen Element in jeder Speicherzelle. Der Speicher ist in 512 KB mit jeweils 8 Bit oder 256 KB mit jeweils 16 Bit organisiert. Die integrierten nicht flüchtigen Elemente verfügen über die Quantum Trap Technologie und erzeugen einen zuverlässigen, nicht flüchtigen Speicher. Das SRAM bietet unendliche Lese- und Schreibzyklen, während unabhängige, nicht flüchtige Daten in der äußerst zuverlässigen QuantumTrap Zelle gespeichert sind. Die Datenübertragung vom SRAM zu den nicht flüchtigen Elementen (STORE-Betrieb) erfolgt automatisch beim Ausschalten. Beim Einschalten werden die Daten aus dem nichtflüchtigen Speicher im SRAM (dem RECALL-Betrieb) wiederhergestellt. Sowohl der STORE- als auch der RECALL-Betrieb sind ebenfalls per Software steuerbar.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Speicher Größe 1MBit
Organisation 64K x 16 Bit
Interface-Typ Parallel
Datenbus-Breite 16bit
Zugriffszeit max. 45ns
Montage-Typ SMD
Gehäusegröße TSOP
Pinanzahl 44
Abmessungen 18.51 x 10.26 x 1.04mm
Länge 18.51mm
Breite 10.26mm
Höhe 1.04mm
Arbeitsspannnung max. 3,6 V
Betriebstemperatur max. +85 °C
Anzahl der Bits pro Wort 16bit
Arbeitsspannnung min. 2,7 V
Betriebstemperatur min. –40 °C
Anzahl der Wörter 64K
10 lieferbar innerhalb von 2 Werktag(en) (Mo-Fr).
Preis pro: Stück
23,06
(ohne MwSt.)
26,75
(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
1 - 9
23,06 €
10 - 24
21,47 €
25 - 49
21,25 €
50 - 74
20,72 €
75 +
20,30 €
Nicht als Expresslieferung erhältlich.
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