Cypress Semiconductor NVRAM 8MBit 512 K x 16 bit Parallel 45ns SMD, FBGA 48-Pin 10 x 6 x 0.21mm

Der Cypress CY14B108L/CY14B108N ist ein schneller statischer RAM (SRAM) mit einem nicht flüchtigen Element in jeder Speicherzelle. Der Speicher ist als 1024 KB mit jeweils 8 Bit oder 512 K Wörter mit jeweils 16 Bit organisiert. Die integrierten nicht flüchtigen Elemente verfügen über die Quantum Trap Technologie und erzeugen einen zuverlässigen, nicht flüchtigen Speicher. Das SRAM bietet unendliche Lese- und Schreibzyklen, während unabhängige nichtflüchtige Daten in der äußerst zuverlässigen Quantum Trap Zelle gespeichert sind. Die Datenübertragung vom SRAM zu den nichtflüchtigen Elementen (STORE-Betrieb) erfolgt automatisch beim Ausschalten. Beim Einschalten werden die Daten aus dem nichtflüchtigen Speicher im SRAM (dem RECALL-Vorgang) wiederhergestellt. Sowohl der STORE- als auch der RECALL-Betrieb sind ebenfalls per Software steuerbar.