CY14B108N-BA25XI, NVRAM-Speicher 8MBit SMD, FBGA 48-Pin

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Produktdetails

Der Cypress CY14B108L/CY14B108N ist ein schneller statischer RAM (SRAM) mit einem nicht flüchtigen Element in jeder Speicherzelle. Der Speicher ist als 1024 KB mit jeweils 8 Bit oder 512 K Wörter mit jeweils 16 Bit organisiert. Die integrierten nicht flüchtigen Elemente verfügen über die Quantum Trap Technologie und erzeugen einen zuverlässigen, nicht flüchtigen Speicher. Das SRAM bietet unendliche Lese- und Schreibzyklen, während unabhängige nichtflüchtige Daten in der äußerst zuverlässigen Quantum Trap Zelle gespeichert sind. Die Datenübertragung vom SRAM zu den nichtflüchtigen Elementen (STORE-Betrieb) erfolgt automatisch beim Ausschalten. Beim Einschalten werden die Daten aus dem nichtflüchtigen Speicher im SRAM (dem RECALL-Vorgang) wiederhergestellt. Sowohl der STORE- als auch der RECALL-Betrieb sind ebenfalls per Software steuerbar.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Speicher Größe 8MBit
Organisation 512 K x 16 bit
Interface-Typ Parallel
Datenbus-Breite 16bit
Zugriffszeit max. 45ns
Montage-Typ SMD
Gehäusegröße FBGA
Pinanzahl 48
Abmessungen 10 x 6 x 0.21mm
Länge 10mm
Breite 6mm
Höhe 0.21mm
Arbeitsspannnung max. 3,6 V
Betriebstemperatur max. +85 °C
Anzahl der Bits pro Wort 16bit
Betriebstemperatur min. –40 °C
Anzahl der Wörter 512K
Arbeitsspannnung min. 2,7 V
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Preis pro: Stück
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Stück
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