- RS Best.-Nr.:
- 194-9086
- Herst. Teile-Nr.:
- CY14B108N-BA45XI
- Marke:
- Cypress Semiconductor
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 194-9086
- Herst. Teile-Nr.:
- CY14B108N-BA45XI
- Marke:
- Cypress Semiconductor
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Cypress CY14B108L/CY14B108N ist ein schneller statischer RAM (SRAM) mit einem nicht flüchtigen Element in jeder Speicherzelle. Der Speicher ist als 1024 KB mit jeweils 8 Bit oder 512 K Wörter mit jeweils 16 Bit organisiert. Die integrierten nicht flüchtigen Elemente verfügen über die Quantum Trap Technologie und erzeugen einen zuverlässigen, nicht flüchtigen Speicher. Das SRAM bietet unendliche Lese- und Schreibzyklen, während unabhängige nichtflüchtige Daten in der äußerst zuverlässigen Quantum Trap Zelle gespeichert sind. Die Datenübertragung vom SRAM zu den nichtflüchtigen Elementen (STORE-Betrieb) erfolgt automatisch beim Ausschalten. Beim Einschalten werden die Daten aus dem nichtflüchtigen Speicher im SRAM (dem RECALL-Vorgang) wiederhergestellt. Sowohl der STORE- als auch der RECALL-Betrieb sind ebenfalls per Software steuerbar.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Speicher Größe | 8MBit |
Organisation | 512 K x 16 bit |
Interface-Typ | Parallel |
Datenbus-Breite | 16bit |
Zugriffszeit max. | 45ns |
Montage-Typ | SMD |
Gehäusegröße | FBGA |
Pinanzahl | 48 |
Abmessungen | 10 x 6 x 0.21mm |
Länge | 10mm |
Breite | 6mm |
Höhe | 0.21mm |
Arbeitsspannnung max. | 3,6 V |
Betriebstemperatur max. | +85 °C |
Arbeitsspannnung min. | 2,7 V |
Anzahl der Bits pro Wort | 16bit |
Betriebstemperatur min. | –40 °C |
Anzahl der Wörter | 512K |
- RS Best.-Nr.:
- 194-9086
- Herst. Teile-Nr.:
- CY14B108N-BA45XI
- Marke:
- Cypress Semiconductor