Microchip Stromfühler-Verstärker SMD SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 193-5517
- Herst. Teile-Nr.:
- MCP6C02T-050H/Q8B
- Marke:
- Microchip
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- RS Best.-Nr.:
- 193-5517
- Herst. Teile-Nr.:
- MCP6C02T-050H/Q8B
- Marke:
- Microchip
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Stromversorgungs-Typ | Single | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Stromversorgungs-Typ Single | ||
Der MCP6C02 Hochspannungsseiten-Stromsignalverstärker bietet eine Eingangs-Offset-Spannungskorrektur für sehr geringe Offset- und Offset-Drift. Dieses Gerät wird mit voreingestellten Verstärkungsfaktoren von 20, 50 und 100 V/V angeboten Der Eingangs-Gleichtaktbereich reicht von 3 V bis 65 V, und die Versorgungsspannung beträgt von 2 V bis 5,5 V.
Zero-Drift-Architektur
Bidirektionaler oder unidirektionaler Betrieb
Maximaler Offset unter 16 μV
Maximale Offset-Drift unter 85 nV/°C
Spezifizierter Eingangs-Gleichtaktbereich: 3 V bis 65 V
Bandbreite von 500 kHz (typisch)
Verbesserte Abschirmung gegen elektromagnetische Störungen
Spezifiziert von -40 bis +125 °C (SOT-23-Gehäuse)
Spezifiziert von -40 bis +150 °C (VDFN-Gehäuse)
Kleines 6-poliges SOT-23- und 8-poliges 3x3-VDFN-Gehäuse
Klasse 1: 6-poliges SOT-23-Gehäuse
Klasse 0: 8-poliges VDFN-Gehäuse
Bidirektionaler oder unidirektionaler Betrieb
Maximaler Offset unter 16 μV
Maximale Offset-Drift unter 85 nV/°C
Spezifizierter Eingangs-Gleichtaktbereich: 3 V bis 65 V
Bandbreite von 500 kHz (typisch)
Verbesserte Abschirmung gegen elektromagnetische Störungen
Spezifiziert von -40 bis +125 °C (SOT-23-Gehäuse)
Spezifiziert von -40 bis +150 °C (VDFN-Gehäuse)
Kleines 6-poliges SOT-23- und 8-poliges 3x3-VDFN-Gehäuse
Klasse 1: 6-poliges SOT-23-Gehäuse
Klasse 0: 8-poliges VDFN-Gehäuse
