PowerTrench FDS8878 N-Kanal MOSFET, 30 V / 10,2 A, 2,5 W, SOIC 8-Pin

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RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: MY
Produktdetails

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 10 A bis 19,9 A, Fairchild Semiconductor

MOSFET-Transistoren, Fairchild Semiconductor

Fairchild bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten einschließlich Hochspannungs- (>250 V) und Niederspannungsausführungen (<250 V). Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
MOSFETs von Fairchild bieten die Zuverlässigkeit eines überlegenen Designs, von reduzierten Spannungsspitzen und Übersteuerungen, über Sperrschichten mit niedrigerer Kapazität und Umkehr-Erholungsladungen bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externe Komponenten zur Aufrechterhaltung von Systemen und längeren Laufzeiten.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 10,2 A
Drain-Source-Spannung max. 30 V
Drain-Source-Widerstand max. 14 mΩ
Gate-Schwellenspannung min. 1.2V
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Gehäusegröße SOIC
Montage-Typ SMD
Transistor-Konfiguration Einfach
Pinanzahl 8
Channel-Modus Enhancement
Kategorie Leistungs-MOSFET
Verlustleistung max. 2,5 W
Eingangskapazität typ. @ Vds 897 pF @ 15 V
Ausschaltverzögerungszeit 45 ns
Breite 4mm
Abmessungen 5 x 4 x 1.5mm
Länge 5mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs 17 nC @ 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Betriebstemperatur min. -55 °C
Transistor-Werkstoff Si
Einschaltverzögerungszeit 9 ns
Betriebstemperatur max. +150 °C
Serie PowerTrench
Höhe 1.5mm
960 lieferbar innerhalb von 2 Werktag(en) (Mo-Fr).
Preis pro: Stück (In einer VPE à 5)
0,51
(ohne MwSt.)
0,61
(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 20
0,51 €
2,55 €
25 - 95
0,484 €
2,42 €
100 - 245
0,458 €
2,29 €
250 - 495
0,43 €
2,15 €
500 +
0,408 €
2,04 €
*Bitte VPE beachten
Nicht als Expresslieferung erhältlich.
Verpackungsoptionen: