N-Kanal MOSFET IRLB8743PBF, 30 V, 150 A, 3 mΩ, TO-220AB 3-Pin, 140 W, Serie HEXFET Si

  • RS Best.-Nr. 725-9325
  • Herst. Teile-Nr. IRLB8743PBF
  • Marke Infineon
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Produktdetails

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 30 V, Infineon

Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 150 A
Drain-Source-Spannung max. 30 V
Drain-Source-Widerstand max. 3 mΩ
Gate-Schwellenspannung max. 2.35V
Gate-Schwellenspannung min. 1.35V
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Gehäusegröße TO-220AB
Montage-Typ Durchsteckmontage
Pinanzahl 3
Transistor-Konfiguration Einfach
Channel-Modus Enhancement
Kategorie Leistungs-MOSFET
Verlustleistung max. 140 W
Höhe 9.02mm
Ausschaltverzögerungszeit 25 ns
Eingangskapazität typ. @ Vds 5110 pF @ 15 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs 36 nC @ 4,5 V
Betriebstemperatur min. -55 °C
Einschaltverzögerungszeit 23 ns
Transistor-Werkstoff Si
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Breite 4.83mm
Abmessungen 10.67 x 4.83 x 9.02mm
Länge 10.67mm
Betriebstemperatur max. +175 °C
Serie HEXFET
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