Wurth Elektronik 744384 SMD Induktivität Abgeschirmt, 6.8 μH 6.5 A mit Magnetische Eisenlegierung-Kern, 5030 Gehäuse ±20
- RS Best.-Nr.:
- 427-258
- Herst. Teile-Nr.:
- 7443845030068
- Marke:
- Wurth Elektronik
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Wurth Elektronik | |
| Induktivität | 6.8μH | |
| Produkt Typ | SMD Induktivität | |
| Gleichstrom max. | 6.5A | |
| Subtyp | SMT-Leistungsinduktivität | |
| Gehäusegröße | 5030 | |
| Länge | 5.4mm | |
| Verpackungsart | Band und Rolle | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Abschirmung | Ja | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gleichstromwiderstand max. | 31.7mΩ | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Serie | 744384 | |
| Induktivitätstoleranz | ±20 % | |
| Höhe | 3.1mm | |
| Tiefe | 3.1mm | |
| Durchmesser | 3.1mm | |
| Kernmaterial | Magnetische Eisenlegierung | |
| Normen/Zulassungen | REACH (EC 1907/2006), Halogen-Free (JEDEC JS709B,IEC 61249-2-21), RoHS (2011/65/EU&2015/863) | |
| Selbstresonanzfrequenz max. | 18MHz | |
| Induktivitätsbauart | Abgeschirmt | |
| Eingegossen | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Wurth Elektronik | ||
Induktivität 6.8μH | ||
Produkt Typ SMD Induktivität | ||
Gleichstrom max. 6.5A | ||
Subtyp SMT-Leistungsinduktivität | ||
Gehäusegröße 5030 | ||
Länge 5.4mm | ||
Verpackungsart Band und Rolle | ||
Automobilstandard Nein | ||
Abschirmung Ja | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gleichstromwiderstand max. 31.7mΩ | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Serie 744384 | ||
Induktivitätstoleranz ±20 % | ||
Höhe 3.1mm | ||
Tiefe 3.1mm | ||
Durchmesser 3.1mm | ||
Kernmaterial Magnetische Eisenlegierung | ||
Normen/Zulassungen REACH (EC 1907/2006), Halogen-Free (JEDEC JS709B,IEC 61249-2-21), RoHS (2011/65/EU&2015/863) | ||
Selbstresonanzfrequenz max. 18MHz | ||
Induktivitätsbauart Abgeschirmt | ||
Eingegossen Nein | ||
- Ursprungsland:
- KR
Die Leistungsinduktivität von Wurth Elektronik ist eine hocheffiziente, kompakte Komponente, die für Anwendungen mit hohem Wirkungsgrad und hoher Stromleistung und erweitertes Strommanagement entwickelt wurde. Mit seinem niedrigen Gleichstromwiderstand, dem hohen Sättigungsstrom und der AEC-Q200 Grade 1-Zertifizierung bietet er einen zuverlässigen Betrieb in DC/DC-Wandlern, batteriebetriebenen Geräten und drahtlosen Kommunikationssystemen. Dank seiner Hochfrequenzfähigkeiten eignet er sich außerdem gut für GaN- und SiC-Anwendungen.
RoHS- und REACH-konform
Halogenfrei
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe 1
Innovatives Material aus Eisenlegierung
Extrem niedrige RDC- und AC-Verluste
Optimiert für hohe Schaltfrequenzen über 1 MHz
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