- RS Best.-Nr.:
- 190-6691
- Herst. Teile-Nr.:
- DS1312S-2+
- Marke:
- Maxim Integrated
- RS Best.-Nr.:
- 190-6691
- Herst. Teile-Nr.:
- DS1312S-2+
- Marke:
- Maxim Integrated
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Wandelt CMOS-SRAM in nichtflüchtigen Speicher um
Der SRAM wird ohne Einschränkungen beschrieben, wenn VCC außerhalb der Toleranz liegt
Schaltet automatisch auf Batteriepuffer-Versorgung um, wenn ein VCC-Stromausfall auftritt
Überwacht die Spannung einer Lithiumzelle und warnt Advanced vor drohendem Batterieausfall
Signalisiert niedrigen Batteriezustand bei aktivem Batterie-Warnsignal
Optionale 5 %- oder 10 %-Stromausfallerkennung
Platzsparende 8-polige DIP- und SOIC-Gehäuse
Optionale 16-polige SOIC- und 20-polige TSSOP-Versionen setzen den Prozessor zurück, wenn ein Stromausfall auftritt, und halten den Prozessor während des Systemstarts im Reset
Industrieller Temperaturbereich von -40 °C bis +85 °C.
Der SRAM wird ohne Einschränkungen beschrieben, wenn VCC außerhalb der Toleranz liegt
Schaltet automatisch auf Batteriepuffer-Versorgung um, wenn ein VCC-Stromausfall auftritt
Überwacht die Spannung einer Lithiumzelle und warnt Advanced vor drohendem Batterieausfall
Signalisiert niedrigen Batteriezustand bei aktivem Batterie-Warnsignal
Optionale 5 %- oder 10 %-Stromausfallerkennung
Platzsparende 8-polige DIP- und SOIC-Gehäuse
Optionale 16-polige SOIC- und 20-polige TSSOP-Versionen setzen den Prozessor zurück, wenn ein Stromausfall auftritt, und halten den Prozessor während des Systemstarts im Reset
Industrieller Temperaturbereich von -40 °C bis +85 °C.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Backup Zellenspannung max. | 6V |
Schreibschutz-Steuerung | Ja |
Signalverzögerungszeit max. | 10ns |
Montage-Typ | SMD |
Gehäusegröße | SO |
Pinanzahl | 8 |
Abmessungen | 5 x 4 x 1.5mm |
Länge | 5mm |
Breite | 4mm |
Höhe | 1.5mm |
Arbeitsspannnung max. | 5,5 V |
Betriebstemperatur max. | +85 °C |
Arbeitsspannnung min. | 4,5 V |
Betriebstemperatur min. | –40 °C |
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