4MBit SRAM-Speicherbaustein CY62147EV30LL-45ZSXI, 256K x 16 bit, TSOP 44-Pin

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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Produktdetails

Asynchroner statischer RAM-Speicher, Cypress Semiconductor

Sehr hohe Geschwindigkeit: 45 ns
Temperaturbereiche
Industrie: -40 °C bis +85 °C.
Großer Spannungsbereich: 2,20 V bis 3,60 V
PIN kompatibel mit CY62147DV30
Extrem niedrige Standby-Leistung
Typischer Standby-Strom: 1√A
Maximaler Standby-Strom: 7√A (Industrie)
Extrem niedrige Wirkleistung
Typischer Wirkstrom: 2 mA bei f = 1 MHz
Einfache Speichererweiterung mit CE [1]- und OE-Funktionen
Automatische Abschaltung bei Deaktivierung
Komplementärer Metalloxid-Halbleiter (CMOS) für optimale Geschwindigkeit und Leistung
Erhältlich in Pb-freien, sehr feinen 48-Ball-VFBGA-Gehäusen (Single/Dual CE-Option) und 44-poligen dünnen Small Outline Package (TSOP)-II-Gehäusen
Byte-Abschaltfunktion

SRAM (Static Random Access Memory)

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Speicher Größe 4MBit
Organisation 256K x 16 bit
Anzahl der Wörter 256K
Anzahl der Bits pro Wort 16bit
Zugriffszeit max. 45ns
Adressbusbreite 16bit
Low Power Ja
Montage-Typ SMD
Gehäusegröße TSOP
Pinanzahl 44
Abmessungen 18.51 x 10.26 x 1.04mm
Höhe 1.04mm
Betriebstemperatur max. +85 °C
Länge 18.51mm
Arbeitsspannnung min. 2,2 V
Betriebstemperatur min. –40 °C
Arbeitsspannnung max. 3,6 V
Breite 10.26mm
171 lieferbar innerhalb von 2 Werktag(en) (Mo-Fr).
Preis pro: Stück (In einer VPE à 3)
3,153
(ohne MwSt.)
3,752
(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
3 +
3,153 €
9,459 €
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Nicht als Expresslieferung erhältlich.
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