Infineon 4MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 512k 1MHz, 8bit / Wort 8bit, 4,5 V bis 5,5 V, SOIC 32-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 188-5324
- Herst. Teile-Nr.:
- CY62148ELL-55SXI
- Marke:
- Infineon
Voraussichtlich ab 11.04.2024 verfügbar.
Preis pro Stück (In einer Stange von 25)
8,617 €
(ohne MwSt.)
10,254 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
25 - 25 | 8,617 € | 215,425 € |
50 - 75 | 8,384 € | 209,60 € |
100 - 225 | 8,16 € | 204,00 € |
250 - 475 | 7,953 € | 198,825 € |
500 + | 7,755 € | 193,875 € |
*Bitte VPE beachten |
- RS Best.-Nr.:
- 188-5324
- Herst. Teile-Nr.:
- CY62148ELL-55SXI
- Marke:
- Infineon
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- US
Produktdetails
Asynchroner Micropower (MoBL) SRAM-Speicher, Cypress Semiconductor
Die Kleinleistungs-SRAM-Speichergeräte MoBL besitzen eine hohe Effizienz und bieten eine branchenweit führende (maximale) Verlustleistung im Standby.
Sehr hohe Geschwindigkeit: 45 ns
Spannungsbereich: 4,5 V bis 5,5 V.
PIN kompatibel mit CY62148B.
Extrem niedrige Standby-Leistung
Typischer Standby-Strom: 1 μA
Maximaler Standby-Strom: 7 μA (Industrie)
Extrem niedrige Wirkleistung
Typischer Wirkstrom: 2,0 mA bei f = 1 MHz
Einfache Speichererweiterung mit CE- und OE-Funktionen
Automatische Abschaltung bei Deaktivierung
Komplementärer Metalloxid-Halbleiter (CMOS) für optimale Geschwindigkeit und Leistung
Erhältlich in Pb-freien 32-poligen dünnen Small Outline Package (TSOP) II- und 32-poligen Small Outline Integrated Circuit (SOIC)[1]-Gehäusen
Spannungsbereich: 4,5 V bis 5,5 V.
PIN kompatibel mit CY62148B.
Extrem niedrige Standby-Leistung
Typischer Standby-Strom: 1 μA
Maximaler Standby-Strom: 7 μA (Industrie)
Extrem niedrige Wirkleistung
Typischer Wirkstrom: 2,0 mA bei f = 1 MHz
Einfache Speichererweiterung mit CE- und OE-Funktionen
Automatische Abschaltung bei Deaktivierung
Komplementärer Metalloxid-Halbleiter (CMOS) für optimale Geschwindigkeit und Leistung
Erhältlich in Pb-freien 32-poligen dünnen Small Outline Package (TSOP) II- und 32-poligen Small Outline Integrated Circuit (SOIC)[1]-Gehäusen
SRAM (Static Random Access Memory)
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Speicher Größe | 4MBit |
Organisation | 512 k x 8 Bit |
Anzahl der Wörter | 512k |
Anzahl der Bits pro Wort | 8bit |
Zugriffszeit max. | 55ns |
Adressbusbreite | 8bit |
Taktfrequenz | 1MHz |
Low Power | Ja |
Timing Typ | Asymmetrisch |
Montage-Typ | SMD |
Gehäusegröße | SOIC |
Pinanzahl | 32 |
Abmessungen | 20.75 x 11.43 x 2.88mm |
Höhe | 2.88mm |
Arbeitsspannnung max. | 5,5 V |
Betriebstemperatur max. | +85 °C |
Länge | 20.75mm |
Breite | 11.43mm |
Betriebstemperatur min. | –40 °C |
Arbeitsspannnung min. | 4,5 V |
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