- RS Best.-Nr.:
- 217-3685
- Herst. Teile-Nr.:
- 71V416L15PHGI
- Marke:
- Renesas Electronics
100 lieferbar innerhalb von 4 Werktag(en) (Mo-Fr).
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Im Warenkorb
Preis pro Stück (In einer VPE à 2)
9,775 €
(ohne MwSt.)
11,632 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
2 - 8 | 9,775 € | 19,55 € |
10 - 98 | 8,63 € | 17,26 € |
100 - 248 | 7,725 € | 15,45 € |
250 - 498 | 7,70 € | 15,40 € |
500 + | 7,46 € | 14,92 € |
*Bitte VPE beachten |
- RS Best.-Nr.:
- 217-3685
- Herst. Teile-Nr.:
- 71V416L15PHGI
- Marke:
- Renesas Electronics
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der 3,3-V-CMOS-SRAM der Renesas Electronics 71V416-Serie ist als 256 K x 16 organisiert. Alle bidirektionalen Ein- und Ausgänge des 71V416 sind LVTTL-kompatibel und der Betrieb erfolgt über eine einzelne 3,3-V-Versorgung. Er hat eine Anschlussanzahl von 44 und einen TSOP-Gehäusetyp. Das SRAM hat eine Temperaturklasse I.
JEDEC-Mittenleistung/GND-Pinbelegung für geringere Geräuschentwicklung.
Gleiche Zugangs- und Zykluszeiten - Gewerbe und Industrie: 10/12/15 ns
Ein Chip Select plus ein Ausgangsfreigabestift
Bidirektionale Dateneingänge und -ausgänge direkt
LVTTL-kompatibel
Gleiche Zugangs- und Zykluszeiten - Gewerbe und Industrie: 10/12/15 ns
Ein Chip Select plus ein Ausgangsfreigabestift
Bidirektionale Dateneingänge und -ausgänge direkt
LVTTL-kompatibel
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Speicher Größe | 4MBit |
Organisation | 256 K x 16 |
Anzahl der Wörter | 256K |
Anzahl der Bits pro Wort | 16bit |
Zugriffszeit max. | 15ns |
Low Power | Ja |
Timing Typ | Asymmetrisch |
Montage-Typ | SMD |
Gehäusegröße | TSOP-44 |
Pinanzahl | 44 |
Abmessungen | 18.41 x 10.16 x 1mm |
Arbeitsspannnung max. | 3,6 V |
Höhe | 1mm |
Betriebstemperatur min. | –40 °C |
Breite | 10.16mm |
Länge | 18.41mm |
Arbeitsspannnung min. | 3 V |
Betriebstemperatur max. | +85 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 217-3685
- Herst. Teile-Nr.:
- 71V416L15PHGI
- Marke:
- Renesas Electronics
Verwandte Produkte
- ISSI 4MBit LowPower SRAM 256k 363 V, TSOP 44-Pin
- ISSI 4MBit LowPower SRAM 256k 26 V, TSOP 44-Pin
- Infineon 4MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 256k 1MHz 26 V, TSOP 44-Pin
- Alliance Memory 4MBit LowPower SRAM 256k 3 bis 3 TSOP 44-Pin
- Alliance Memory 4MBit LowPower SRAM 262144 3 bis 3 TSOP-44 44-Pin
- Renesas Electronics 4MBit LowPower SRAM 256k 26 V, TSOP 44-Pin
- Infineon 4MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 256k 1MHz 26 V,...
- Infineon 4MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 256k 1MHz TSOP II 44-Pin