Renesas Electronics 16kbit LowPower SRAM-Speicherbaustein 2K, 8bit / Wort, 4,5 V bis 5,5 V, PDIP-24 24-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 217-7878
- Herst. Teile-Nr.:
- 6116SA15TPG
- Marke:
- Renesas Electronics
Nicht mehr im Sortiment
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- 217-7878
- Herst. Teile-Nr.:
- 6116SA15TPG
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- Renesas Electronics
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Renesas Electronics 6116 5 V CMOS SRAM ist als 2K x 8 organisiert. Der 6116 bietet einen reduzierten Standby-Betrieb. Die Low-Power-Version (LA) bietet außerdem eine Batterie zur Datensicherung, bei der der Stromkreis typischerweise nur 1 μW bis 4 μW verbraucht, während er mit einer 2-V-Batterie betrieben wird. Alle Ein- und Ausgänge sind TTL-kompatibel. Es werden vollständig statische asynchrone Schaltkreise verwendet, die keine Uhren oder eine Aktualisierung für den Betrieb erfordern. Es ist ein Produkt in Militärqualität erhältlich.
Hochgeschwindigkeitszugang und Chip-Auswahlzeiten - Militär: 20/25/35/45/55/70/90/120/150 ns (max.) - Industrie: 20/25 ns (max.) - Kommerziell: 15/20/25 ns (max.)
Geringer Stromverbrauch
Batterie Backup-Betrieb - 2 V Datenhaltespannung (Nur Version LA)
Hergestellt mit Advanced CMOS-Hochleistungstechnologie
Geringer Stromverbrauch
Batterie Backup-Betrieb - 2 V Datenhaltespannung (Nur Version LA)
Hergestellt mit Advanced CMOS-Hochleistungstechnologie
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Speicher Größe | 16kbit |
Organisation | 2 K x 8 |
Anzahl der Wörter | 2K |
Anzahl der Bits pro Wort | 8bit |
Zugriffszeit max. | 15ns |
Low Power | Ja |
Timing Typ | Asymmetrisch |
Montage-Typ | THT |
Gehäusegröße | PDIP-24 |
Pinanzahl | 24 |
Abmessungen | 31.75 x 7.62 x 3.3mm |
Arbeitsspannnung max. | 5,5 V |
Höhe | 3.3mm |
Arbeitsspannnung min. | 4,5 V |
Länge | 31.75mm |
Betriebstemperatur max. | +70 °C |
Betriebstemperatur min. | –0 °C |
Breite | 7.62mm |