- RS Best.-Nr.:
- 186-7157
- Herst. Teile-Nr.:
- FDS8935
- Marke:
- onsemi
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- RS Best.-Nr.:
- 186-7157
- Herst. Teile-Nr.:
- FDS8935
- Marke:
- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Dieser P-Kanal-MOSFET wird mit einem Advanced PowerTrench®-Verfahren hergestellt, das für rDS(on), Schaltleistung und Robustheit optimiert wurde.
Max. RDS(ein) = 183 mΩ bei VGS = -10 V, ID = -2,1 A
Max. RDS(ein) = 247 mΩ bei VGS = -4,5 V, ID = -1,9 A
Leistungsstarke Grabentechnologie für extrem niedrige rDS(on)
Hohe Leistung und Strombelastbarkeit in einem weit verbreiteten SMD-Gehäuse
Anwendungen
Dieses Produkt ist für die allgemeine Verwendung und für viele verschiedene Anwendungen geeignet.
Lastschalter
Synchroner Gleichrichter
Max. RDS(ein) = 247 mΩ bei VGS = -4,5 V, ID = -1,9 A
Leistungsstarke Grabentechnologie für extrem niedrige rDS(on)
Hohe Leistung und Strombelastbarkeit in einem weit verbreiteten SMD-Gehäuse
Anwendungen
Dieses Produkt ist für die allgemeine Verwendung und für viele verschiedene Anwendungen geeignet.
Lastschalter
Synchroner Gleichrichter
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Gehäusegröße | SOIC |
Montage-Typ | SMD |
Verlustleistung max. | 3,1 W |
Pinanzahl | 8 |
Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Abmessungen | 4.9 x 3.9 x 1.58mm |
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