onsemi MJB45H11T4G SMD, PNP Digitaler Transistor –80 V, D2PAK (TO-263) 2 + Tab-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 186-7406
- Herst. Teile-Nr.:
- MJB45H11T4G
- Marke:
- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der bipolare PNP-Leistungstransistor ist für die allgemeine Leistungsverstärkung und das Schalten wie Ausgangs- oder Treiberstufen in Anwendungen wie Schaltreglern, Wandlern und Leistungsverstärkern ausgelegt. Die MJB44H11 (NPN) und MJB45H11 (PNP) sind ergänzende Geräte.
Niedrige Sättigungsspannung des Kollektor-Emitter -
VCE(sat) = 1,0 V (max.) @ 8,0 A
Hohe Schaltgeschwindigkeiten
Komplementäre Paare Vereinfachen Designs
NJV-Präfix für Automobil- und andere Anwendungen, die besondere Anforderungen an Standort- und Kontrolländerungen erfordern, PPAP-fähig
PbFree Pakete sind verfügbar
VCE(sat) = 1,0 V (max.) @ 8,0 A
Hohe Schaltgeschwindigkeiten
Komplementäre Paare Vereinfachen Designs
NJV-Präfix für Automobil- und andere Anwendungen, die besondere Anforderungen an Standort- und Kontrolländerungen erfordern, PPAP-fähig
PbFree Pakete sind verfügbar
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Transistor-Typ | PNP |
| Kollektor-Emitter-Spannung | –80 V |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) |
| Montage-Typ | SMD |
| Verlustleistung max. | 50 W |
| Gleichstromverstärkung min. | 60 |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Basis-Emitter Spannung max. | 5 V dc |
| Pinanzahl | 2 + Tab |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Abmessungen | 10.29 x 9.65 x 4.83mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |