onsemi MJH11019G THT, PNP Digitaler Transistor -200 V, SOT-93 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 186-7418
- Herst. Teile-Nr.:
- MJH11019G
- Marke:
- onsemi
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| 120 - 240 | 3,097 € | 92,91 € |
| 270 - 480 | 2,996 € | 89,88 € |
| 510 + | 2,28 € | 68,40 € |
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- MJH11019G
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
Der Darlington Bipolar-Leistungstransistor ist für den Einsatz als Universalverstärker, Niederspannungs-Schalttechnik und Motorsteuerungsanwendungen konzipiert. Die Modelle MJH11017, MJH11019, MJH11021 (PNP), MJH11018, MJH11020, MJH11022 (NPN) sind ergänzende Geräte.
Hohe DC-Stromverstärkung bei 10 Adc - hFE = 400 Min. (Alle Typen)
Collector-Emitter Sustaining Voltage VCEO(sus) = 150 Vdc (min.) MJH11018, 17 VCEO(sus) = 200 Vdc (min.) - MJH11020, 19 VCEO(sus) = 250 Vdc (min.) - MJH11022, 21
Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VCE(sat) = 1,2 V (Typ) @ IC = 5,0 A VCE(sat) = 1,8 V (Typ) @ IC = 10 A.
Monolithische Konstruktion
Bleifreie Gehäuse sind verfügbar
Collector-Emitter Sustaining Voltage VCEO(sus) = 150 Vdc (min.) MJH11018, 17 VCEO(sus) = 200 Vdc (min.) - MJH11020, 19 VCEO(sus) = 250 Vdc (min.) - MJH11022, 21
Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VCE(sat) = 1,2 V (Typ) @ IC = 5,0 A VCE(sat) = 1,8 V (Typ) @ IC = 10 A.
Monolithische Konstruktion
Bleifreie Gehäuse sind verfügbar
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Transistor-Typ | PNP |
| Kollektor-Emitter-Spannung | -200 V |
| Gehäusegröße | SOT-93 |
| Montage-Typ | THT |
| Verlustleistung max. | 150 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Basis-Emitter Spannung max. | 5 V dc |
| Pinanzahl | 3 |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Abmessungen | 15.2 x 4.9 x 20.35mm |