- RS Best.-Nr.:
- 186-8073
- Herst. Teile-Nr.:
- FJI5603DTU
- Marke:
- onsemi
- RS Best.-Nr.:
- 186-8073
- Herst. Teile-Nr.:
- FJI5603DTU
- Marke:
- onsemi
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
FJI5603D: NPN Silizium-Transistor
Großer sicherer Arbeitsbereich
Geringe Abweichung in der Lagerzeit
Integrierte Freidrehdiode
Anwendung für Hochspannungsschalter und schnellen Netzschalter
Elektronische Ballastanwendung
Anwendungen
Dieses Produkt ist für die allgemeine Verwendung und für viele verschiedene Anwendungen geeignet.
Geringe Abweichung in der Lagerzeit
Integrierte Freidrehdiode
Anwendung für Hochspannungsschalter und schnellen Netzschalter
Elektronische Ballastanwendung
Anwendungen
Dieses Produkt ist für die allgemeine Verwendung und für viele verschiedene Anwendungen geeignet.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Transistor-Typ | NPN |
Kollektor-Emitter-Spannung | 800 V |
Gehäusegröße | TO-262 |
Montage-Typ | THT |
Verlustleistung max. | 100 W |
Gleichstromverstärkung min. | 20 |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Basis-Emitter Spannung max. | 12 V |
Pinanzahl | 3 + Tab |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Abmessungen | 10.29 x 4.83 x 9.65mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
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