onsemi FDMS3624S SMD Digitaler Transistor Dual, PQFN 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 186-8597
- Herst. Teile-Nr.:
- FDMS3624S
- Marke:
- ON Semiconductor
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 186-8597
- Herst. Teile-Nr.:
- FDMS3624S
- Marke:
- ON Semiconductor
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Dieses Gerät enthält zwei spezialisierte N-Kanal-MOSFETs in einem Dual-PQFN-Gehäuse. Der Switch-Knoten wurde intern angeschlossen, um die Platzierung und das Routing von synchronen Abwärtswandlern zu erleichtern. Der Steuer-MOSFET (Q1) und SynchronousSyncFET (Q2) wurden entwickelt, um eine optimale Energieeffizienz zu gewährleisten.
F1: N-Kanal
Max. RDS(ein) = 5,0 mΩ bei VGS = 10 V, ID = 17,5 A
Max. RDS(ein) = 5,7 mΩ bei VGS = 4,5 V, ID = 16 A
Q2: N-Kanal
Max. RDS(ein) = 1,8 mΩ bei VGS = 10 V, ID = 30 A
Max. RDS(ein) = 2,2 mΩ bei VGS = 4,5 V, ID = 27 A
Die Verpackung mit niedriger Induktivität verkürzt die Anstiegs-/Abfallzeiten, was zu geringeren Schaltverlusten führt
Die MOSFET-Integration ermöglicht ein optimales Layout für die Induktivität des unteren Stromkreises und ein reduziertes Schaltknotenklingeln
Anwendungen
Vertrieb
Notebook-PC
Max. RDS(ein) = 5,0 mΩ bei VGS = 10 V, ID = 17,5 A
Max. RDS(ein) = 5,7 mΩ bei VGS = 4,5 V, ID = 16 A
Q2: N-Kanal
Max. RDS(ein) = 1,8 mΩ bei VGS = 10 V, ID = 30 A
Max. RDS(ein) = 2,2 mΩ bei VGS = 4,5 V, ID = 27 A
Die Verpackung mit niedriger Induktivität verkürzt die Anstiegs-/Abfallzeiten, was zu geringeren Schaltverlusten führt
Die MOSFET-Integration ermöglicht ein optimales Layout für die Induktivität des unteren Stromkreises und ein reduziertes Schaltknotenklingeln
Anwendungen
Vertrieb
Notebook-PC
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Gehäusegröße | PQFN |
| Montage-Typ | SMD |
| Verlustleistung max. | 2,5 W |
| Pinanzahl | 8 |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
| Abmessungen | 6.25 x 5.1 x 1.05mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |