Toshiba RN1110(F) SMD, NPN Digitaler Transistor 50 V / 100 mA, ESM 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 540-6611
- Herst. Teile-Nr.:
- RN1110(F)
- Marke:
- Toshiba
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 540-6611
- Herst. Teile-Nr.:
- RN1110(F)
- Marke:
- Toshiba
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- JP
Produktdetails
Transistor mit integriertem Widerstand, Serie BRT, Toshiba
Integrierte Vorwiderstände, der Einsatz von weniger Teilen reduziert die Größe und spart Platz bei der Montage
Großer Widerstands-Wertebereich macht dieses Produkt für diverse Anwendungen geeignet
Ergänzung zu den Produkten von RN1101 / RN2101 bis RN1118 / RN2118
Anwendungen: Schalten, Frequenzumrichterschaltungen, Schnittstellenstromkreise, Treiberstromkreise
SSM-Gehäuse
Großer Widerstands-Wertebereich macht dieses Produkt für diverse Anwendungen geeignet
Ergänzung zu den Produkten von RN1101 / RN2101 bis RN1118 / RN2118
Anwendungen: Schalten, Frequenzumrichterschaltungen, Schnittstellenstromkreise, Treiberstromkreise
SSM-Gehäuse
Digital Transistors, Toshiba
Resistor-equipped bipolar transistors, also known as “Digital Transistors” or “Bias Resistor Transistors”, incorporating one or two integrated resistors. A single series input resistor, or a potential divider of two resistors, allows these devices to be directly driven from digital sources. Both single and dual transistor versions are available.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Transistor-Typ | NPN |
| DC Kollektorstrom max. | 100 mA |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 50 V |
| Gehäusegröße | ESM |
| Montage-Typ | SMD |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Basis-Emitter Spannung max. | 5 V |
| Pinanzahl | 3 |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
| Eingangswiderstand typ. | 4.7 kΩ |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Abmessungen | 1.6 x 0.8 x 0.7mm |
- RS Best.-Nr.:
- 540-6611
- Herst. Teile-Nr.:
- RN1110(F)
- Marke:
- Toshiba