- RS Best.-Nr.:
- 168-4761
- Herst. Teile-Nr.:
- IXDN55N120D1
- Marke:
- IXYS
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- Ursprungsland:
- US
Produktdetails
IGBTs, diskret, IXYS
IGBTs, diskret, und IGBT-Module, IXYS
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Dauer-Kollektorstrom max. | 100 A |
Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V |
Gate-Source Spannung max. | ±20V |
Verlustleistung max. | 450 W |
Gehäusegröße | SOT-227B |
Montage-Typ | SMD |
Channel-Typ | N |
Pinanzahl | 4 |
Schaltgeschwindigkeit | 1MHz |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Abmessungen | 38.2 x 25.07 x 9.6mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Betriebstemperatur min. | –40 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 168-4761
- Herst. Teile-Nr.:
- IXDN55N120D1
- Marke:
- IXYS
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