Infineon IGBT / 6,2 A ±20V max., 1200 V 62 W, 3-Pin TO-252 N-Kanal

Diskrete IGBT-Transistoren von Infineon bieten verschiedene Technologien wie NPT, Trenchstop™ und Fieldstop. Sie können in vielen Anwendungen eingesetzt werden, die ein hartes oder weiches Schalten erfordern, einschließlich industrielle Antriebe, USV, Wechselrichter, Haushaltsgeräte und Induktionsherde. Einige Geräte besitzen eine antiparallel geschaltete Diode oder eine monolithisch integrierte Diode.

IGBT, diskrete Bauteile und Module, Infineon

Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.