Infineon IGBT / 100 A ±20V max., 600 V 333 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 911-4798
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW50N60TFKSA1
- Marke:
- Infineon
240 lieferbar innerhalb von 1 Werktag(en) (Mo-Fr).
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Im Warenkorb
Preis pro Stück (In einer Stange von 30)
2,992 €
(ohne MwSt.)
3,56 €
(inkl. MwSt.)
| Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
| 30 + | 2,992 € | 89,76 € |
| *Bitte VPE beachten | ||
- RS Best.-Nr.:
- 911-4798
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW50N60TFKSA1
- Marke:
- Infineon
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- DE
Produktdetails
Infineon TrenchStop IGBT-Transistoren, 600 und 650 V
Eine Serie von IGBT-Transistoren von Infineon mit Kollektor-Emitter-Nennspannungen von 600 und 650 V mit TrenchStop™-Technologie. Das Angebot umfasst Geräte mit integrierter hoher Geschwindigkeit, kurze Erholzeit, antiparallel geschalteter Diode.
• Kollektor-Emitter – Spannungsbereich 600 bis 650 V
• Sehr geringer VCEsat
• Niedrige Abschaltverluste
• Kurzer Deaktivierungsstrom
• Geringe elektromagnetische Störungen
• Maximale Verbindungstemperatur 175°C
• Sehr geringer VCEsat
• Niedrige Abschaltverluste
• Kurzer Deaktivierungsstrom
• Geringe elektromagnetische Störungen
• Maximale Verbindungstemperatur 175°C
IGBT, diskrete Bauteile und Module, Infineon
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Dauer-Kollektorstrom max. | 100 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V |
| Verlustleistung max. | 333 W |
| Gehäusegröße | TO-247 |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Abmessungen | 16.03 x 21.1 x 5.16mm |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 911-4798
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW50N60TFKSA1
- Marke:
- Infineon
Verwandte Produkte
- Infineon IGBT / 150 A ±20V max. 3-Pin TO-247
- Infineon IGBT / 90 A ±20V max. 3-Pin TO-247 N-Kanal
- Infineon IGBT / 53 A ±20V max. 3-Pin TO-247 N-Kanal
- Infineon IGBT / 80 A ±20V max. 3-Pin TO-247 N-Kanal
- Infineon IGBT / 80 A ±20V max. 3-Pin TO-247
- Infineon IGBT / 45 A ±20V max. 3-Pin TO-247 N-Kanal
- Infineon IGBT / 40 A ±20V max. 3-Pin TO-247 N-Kanal
- Infineon IGBT / 100 A ±20V max. 3-Pin TO-247 N-Kanal