N-Kanal MOSFET RFP12N10L, 100 V, 12 A, 200 mΩ, TO-220AB 3-Pin, 60 W Si

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Produktdetails

N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor

Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.

MOSFET-Transistoren, Fairchild Semiconductor

Fairchild bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten einschließlich Hochspannungs- (>250 V) und Niederspannungsausführungen (<250 V). Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
MOSFETs von Fairchild bieten die Zuverlässigkeit eines überlegenen Designs, von reduzierten Spannungsspitzen und Übersteuerungen, über Sperrschichten mit niedrigerer Kapazität und Umkehr-Erholungsladungen bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externe Komponenten zur Aufrechterhaltung von Systemen und längeren Laufzeiten.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 12 A
Drain-Source-Spannung max. 100 V
Drain-Source-Widerstand max. 200 mΩ
Gate-Schwellenspannung min. 1V
Gate-Source Spannung max. -10 V, +10 V
Gehäusegröße TO-220AB
Montage-Typ Durchsteckmontage
Pinanzahl 3
Transistor-Konfiguration Einfach
Channel-Modus Enhancement
Kategorie Leistungs-MOSFET
Verlustleistung max. 60 W
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Eingangskapazität typ. @ Vds 900 pF @ 25 V
Höhe 9.4mm
Ausschaltverzögerungszeit 100 ns
Abmessungen 10.67 x 4.83 x 9.4mm
Betriebstemperatur min. -55 °C
Betriebstemperatur max. +150 °C
Breite 4.83mm
Länge 10.67mm
Transistor-Werkstoff Si
Einschaltverzögerungszeit 15 ns
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