- RS Best.-Nr.:
- 354-5770
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS139H6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 354-5770
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS139H6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Nicht-konform
Produktdetails
N-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS®
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 100 mA |
Drain-Source-Spannung max. | 250 V |
Gehäusegröße | SOT-23 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 14 Ω |
Channel-Modus | Depletion |
Gate-Schwellenspannung max. | 1V |
Gate-Schwellenspannung min. | 2.1V |
Verlustleistung max. | 360 mW |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Transistor-Werkstoff | Si |
Breite | 1.3mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 2,3 nC @ 5 V |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Länge | 2.9mm |
Betriebstemperatur min. | -55 °C |
Höhe | 1mm |
Serie | SIPMOS |