onsemi BSS123LT1G N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 170 mA 225 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 545-0135P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS123LT1G
- Marke:
- onsemi
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- BSS123LT1G
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: Nicht zutreffend
Produktdetails
N-Kanal Leistungs-MOSFET, 100 V bis 1700 V, ON Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 170 mA |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V |
| Gehäusegröße | SOT-23 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 6 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.8V |
| Verlustleistung max. | 225 mW |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Breite | 1.3mm |
| Länge | 2.9mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Höhe | 0.94mm |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 545-0135P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS123LT1G
- Marke:
- onsemi