Microchip LND150N3-G N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 30 mA 740 mW, 3-Pin TO-92
- RS Best.-Nr.:
- 829-3250
- Herst. Teile-Nr.:
- LND150N3-G
- Marke:
- Microchip
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Produktdetails
MOSFET-Transistoren Supertex mit N-Kanal-Verarmungsmodus
Die Supertex-Serie von N-Kanal Verarmungs-DMOS-FET-Transistoren von Microchip sind für Anwendungen geeignet, bei denen hohe Durchschlagsspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erfordert sind.
Merkmale
Hohe Eingangsimpedanz
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
Niedriger Eingangs- und Leckstrom
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
Niedriger Eingangs- und Leckstrom
Typische Anwendungen:
Schließerschalter
Halbleiterrelais
Wandler
Lineare Verstärker
Konstantstrom-Quellen
Netzteilschaltungen
Telekommunikation
Halbleiterrelais
Wandler
Lineare Verstärker
Konstantstrom-Quellen
Netzteilschaltungen
Telekommunikation
Der Microchip LND150 N-Kanal-Abarmungsmodus-Transistor (normalerweise eingeschaltet) nutzt die seitliche DMOS-Technologie. Das Tor ist ESD-geschützt. Er ist ideal für Hochspannungsanwendungen in den Bereichen Schließer, Präzisions-Konstantstromquellen, Spannungsrampenerzeugung und -verstärkung. Er verfügt über eine Drain-to-Source- und Drain-to-Gate-Spannung von 500 V und einen statischen Drain-to-Source-on-State-Widerstand von 1 kΩ.
Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
Niedrige Anforderung an die Stromversorgung
Einfacher Parallelbetrieb
Ausgezeichnete Temperaturstabilität
Integrierte Source-Drain-Diode
Hohe Eingangsimpedanz und niedriger CISS
Frei von Blei (Pb)
3-adriges TO-92-Gehäuse
Niedrige Anforderung an die Stromversorgung
Einfacher Parallelbetrieb
Ausgezeichnete Temperaturstabilität
Integrierte Source-Drain-Diode
Hohe Eingangsimpedanz und niedriger CISS
Frei von Blei (Pb)
3-adriges TO-92-Gehäuse
MOSFET-Transistoren, Microchip
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 30 mA |
| Drain-Source-Spannung max. | 500 V |
| Gehäusegröße | TO-92 |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 1 kΩ |
| Channel-Modus | Depletion |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3V |
| Verlustleistung max. | 740 mW |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Länge | 5.2mm |
| Breite | 4.19mm |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Höhe | 5.33mm |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 829-3250
- Herst. Teile-Nr.:
- LND150N3-G
- Marke:
- Microchip
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