- RS Best.-Nr.:
- 468-2410
- Herst. Teile-Nr.:
- SKM100GB125DN
- Marke:
- Semikron
Voraussichtlich ab 17.09.2024 verfügbar.
Im Warenkorb
Preis pro Stück
211,90 €
(ohne MwSt.)
252,16 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück |
1 - 1 | 211,90 € |
2 - 4 | 201,29 € |
5 - 9 | 191,35 € |
10 - 19 | 181,60 € |
20 + | 172,49 € |
- RS Best.-Nr.:
- 468-2410
- Herst. Teile-Nr.:
- SKM100GB125DN
- Marke:
- Semikron
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Duale IGBT-Module
Eine Serie von SEMITOP® IGBT-Modulen von Semikron einschließlich zwei in Reihe geschalteten IGBT-Geräten (Halbbrücke). Die Module sind in einem großen Spannungs- und Strombereich erhältlich und für eine Vielzahl von Leistungsschaltanwendungen wie AC-Wechselrichter-Motorantriebe und unterbrechungsfreie Stromversorgungen geeignet.
Kompaktes SEMITOP®-Gehäuse
Für Schaltfrequenzen bis zu 12 kHz geeignet
Isolierte Kupfergrundplatte mit direkter Kupferverbindung
Für Schaltfrequenzen bis zu 12 kHz geeignet
Isolierte Kupfergrundplatte mit direkter Kupferverbindung
IGBT-Module, Semikron
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Dauer-Kollektorstrom max. | 100 A |
Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V |
Gate-Source Spannung max. | ±20V |
Gehäusegröße | SEMITRANS2 |
Konfiguration | Zweifach-Halbbrücke |
Montage-Typ | Tafelmontage |
Channel-Typ | N |
Pinanzahl | 7 |
Transistor-Konfiguration | Serie |
Abmessungen | 94.5 x 34.5 x 30.5mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Betriebstemperatur min. | -40 °C |
Verwandte Produkte
- Semikron IGBT-Modul / 265 A ±20V max. 7-Pin SEMITRANS2 N-Kanal
- Semikron IGBT-Modul / 195 A ±20V max. 7-Pin SEMITRANS2 N-Kanal
- Semikron IGBT-Modul / 232 A ±20V max. 5-Pin SEMITRANS2 N-Kanal
- Semikron IGBT-Modul / 114 A ±20V max. 7-Pin SEMITRANS2 N-Kanal
- Semikron IGBT-Modul / 115 A ±20V max. 7-Pin SEMITRANS2 N-Kanal
- Semikron IGBT-Modul / 160 A ±20V max. 7-Pin SEMITRANS2 N-Kanal
- Semikron IGBT-Modul / 81 A ±20V max. 7-Pin SEMITRANS2 N-Kanal
- Semikron IGBT-Modul / 232 A ±20V max. 7-Pin SEMITRANS2 N-Kanal