- RS Best.-Nr.:
- 163-2021
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SK3557-7-TB-E
- Marke:
- onsemi
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- 163-2021
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- 2SK3557-7-TB-E
- Marke:
- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
N-Kanal-JFET, ON Semiconductor
JFET-Transistoren
Eine Serie von diskreten JFET- und HEMT/HFET-Halbleitern.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
IDS Drain-Source-Abschaltstrom | 16 to 32mA |
Drain-Source-Spannung max. | 15 V |
Drain-Gate-Spannung max. | -15V |
Konfiguration | Single |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Montage-Typ | SMD |
Gehäusegröße | CP |
Pinanzahl | 3 |
Drain Gate Kapazität | 10pF |
Source Gate Kapazität | 2.9pF |
Abmessungen | 2.9 x 1.5 x 1.1mm |
Breite | 1.5mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Höhe | 1.1mm |
Länge | 2.9mm |
- RS Best.-Nr.:
- 163-2021
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SK3557-7-TB-E
- Marke:
- onsemi