NXP BLF177,112 N-Kanal, SchraubMOSFET Transistor 125 V / 16 A 220 W, 4-Pin CRFM
- RS Best.-Nr.:
- 626-2989
- Herst. Teile-Nr.:
- BLF177,112
- Marke:
- NXP
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 626-2989
- Herst. Teile-Nr.:
- BLF177,112
- Marke:
- NXP
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | NXP | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 16 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 125 V | |
| Gehäusegröße | CRFM | |
| Montage-Typ | Schraubmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 300 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Verlustleistung max. | 220 W | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Betriebstemperatur max. | +200°C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 12.86mm | |
| Länge | 24.9mm | |
| Leistungsverstärkung | 35 dB | |
| Höhe | 7.27mm | |
| Betriebstemperatur min. | -65 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke NXP | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 16 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 125 V | ||
Gehäusegröße CRFM | ||
Montage-Typ Schraubmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 300 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Verlustleistung max. 220 W | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Betriebstemperatur max. +200°C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 12.86mm | ||
Länge 24.9mm | ||
Leistungsverstärkung 35 dB | ||
Höhe 7.27mm | ||
Betriebstemperatur min. -65 °C | ||
- Ursprungsland:
- PH
N-Kanal-MOSFET, NXP
Hinweis
NXP ist eine Marke von NXP B.B.
MOSFET-Transistoren, NXP