Infineon OptiMOS 2 BSC252N10NSFGATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 40 A 78 W, 8-Pin TDSON

Alle MOSFET anzeigen
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
825-9269
Herst. Teile-Nr.:
BSC252N10NSFGATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

40 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Gehäusegröße

TDSON

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

25,2 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

78 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

13 nC @ 10 V

Länge

5.35mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

6.35mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Serie

OptiMOS 2

Höhe

1.1mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Leistungs-MOSFET-Familie Infineon OptiMOS™2


Die Infineon-OptiMOS™-2-N-Kanalproduktfamilie bietet den branchenweit niedrigsten Durchlasswiderstand innerhalb ihrer Spannungsgruppe. Die Power MOSFET-Serien können in vielen Anwendungen verwendet werden, etwa Hochfrequenztelekommunikation, Datenkommunikation, Solarbereich, Niederspannungsantriebe sowie Servernetzteile. Die OptiMOS 2-Produktfamilie ist ab 20 V erhältlich und bietet eine Auswahl von verschiedenen Gehäusearten.


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.