JFET

"JFETs Ein JFET ist eine Einheit mit vier Anschlüssen. Sie heißen Gate, Drain, Quelle und Gehäuse. Die Gehäuseklemme ist immer mit der Quelle verbunden. Es gibt zwei Arten von JFETs: N-Kanal und P-KanalWas bedeutet JFET? JFET steht für Sperrschicht-Feldeffekttransistor (junction field-effect transistor)N-Kanal-JFET-KonstruktionDer Name N-Kanal bedeutet, dass die Elektronen die Hauptladungsträger sind. Zur Bildung des N-Kanals wird ein Halbleiter vom Typ N als Basis verwendet und an beiden Enden mit einem Halbleiter vom Typ P dotiert. Beide P-Bereiche sind elektrisch mit einem ohmschen Kontakt am Gate verbunden. Zwei weitere Klemmen sind an den gegenüberliegenden Enden für den Ablauf und die Quelle herausgeführt.P-Kanal-JFET-KonstruktionDer Name P-Kanal bedeutet, dass die Löcher die meisten Ladungsträger sind. Zur Bildung des P-Kanals wird ein Halbleiter vom Typ P als Basis verwendet und an beiden Enden mit einem Halbleiter vom Typ N dotiert. Beide N-Bereiche sind elektrisch mit einem ohmschen Kontakt am Gate verbunden. Zwei weitere Klemmen sind an den gegenüberliegenden Enden für den Ablauf und die Quelle herausgeführt.Merkmale und Vorteile Hohe Eingangsimpedanz Spannungsgesteuertes Gerät Hoher Isolationsgrad zwischen Eingang und Ausgang Weniger LärmUnter welchem Namen sind sie noch bekannt? JUGFETWofür werden JFET-Transistoren verwendet? JFET-Transistoren haben viele Anwendungen in der Elektronik und Kommunikation. Sie können sie als elektronisch gesteuerten Schalter zur Steuerung der elektrischen Energie für eine Last und als Verstärker verwenden.Was ist der Unterschied zwischen einem JFET und einem BJT (Bipolar Junction Transistor)? Der Hauptunterschied zwischen einem JFET und BJT besteht darin, dass ein Feldeffekttransistor nur Mehrheits-Ladungsträgerströme liefert, während der BJT (Bipolartransistor) sowohl Mehrheits- und Minderheits-Ladungsträgerflüsse bietet.Was ist Dotierung von Halbleitern? Dotieren ist der Prozess, bei dem Fremdverunreinigungen in intrinsische Halbleiter eingebracht werden, um deren elektrische Eigenschaften zu verändern. Dreiwertige Atome, die zum Dotieren von Silizium verwendet werden, bewirken, dass ein intrinsischer Halbleiter zu einem Halbleiter vom Typ P wird. Fünfwertig, das zum Dotieren von Silizium verwendet wird, bewirkt, dass ein intrinsischer Halbleiter zu einem N-Typ-Halbleiter wird."

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Beschreibung Preis Channel-Typ IDS Drain-Source-Abschaltstrom Drain-Source-Spannung max. Gate-Source Spannung max. Drain-Gate-Spannung max. Konfiguration Transistor-Konfiguration Drain-Source-Widerstand max. Montage-Typ Gehäusegröße Pinanzahl Drain Gate Kapazität Source Gate Kapazität Abmessungen
RS Best.-Nr. 806-4257
Herst. Teile-Nr.MMBF4092
0,147 €
Stück (In einer VPE à 50)
Stück
N Min. 15mA 0,2 V -40 V 40V Single Einfach 50 Ω SMD SOT-23 3 - - 2.92 x 1.3 x 0.93mm
RS Best.-Nr. 166-3085
Herst. Teile-Nr.MMBF5103
0,075 €
Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Stück
N 10 → 40mA 20 V –40 V 40V Single Einfach - SMD SOT-23 3 - - 2.9 x 1.3 x 1.04mm
RS Best.-Nr. 806-4314
Herst. Teile-Nr.MMBFJ176
0,334 €
Stück (Auf einem Gurtabschnitt von 50)
Stück
P -2 → -25mA 15 V +30 V -30V Single Einfach 250 Ω SMD SOT-23 3 - - 2.92 x 1.3 x 0.93mm
RS Best.-Nr. 166-3093
Herst. Teile-Nr.MMBFJ111
0,086 €
Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Stück
N 20mA 15 V -35 V 35V Single Einfach 30 Ω SMD SOT-23 3 28pF 28pF 2.9 x 1.3 x 1.04mm
RS Best.-Nr. 163-2021
Herst. Teile-Nr.2SK3557-7-TB-E
0,128 €
Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Stück
N 16 → 32mA 15 V - -15V Single Einfach - SMD CP 3 10pF 2.9pF 2.9 x 1.5 x 1.1mm
RS Best.-Nr. 806-4251
Herst. Teile-Nr.MMBF4093
0,246 €
Stück (In einer VPE à 50)
Stück
N Min. 8mA 0,2 V -40 V 40V Single Einfach 80 Ω SMD SOT-23 3 - - 2.92 x 1.3 x 0.93mm
RS Best.-Nr. 806-4311
Herst. Teile-Nr.MMBFJ111
0,244 €
Stück (Auf einem Gurtabschnitt von 50)
Stück
N 20mA 15 V -35 V 35V Single Einfach 30 Ω SMD SOT-23 3 28pF 28pF 2.9 x 1.3 x 1.04mm
RS Best.-Nr. 166-2223
Herst. Teile-Nr.MMBFJ110
0,116 €
Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Stück
N Min. 10mA 15 V -25 V 25V Single Einfach 18 Ω SMD SOT-23 3 85pF 85pF 2.92 x 1.4 x 0.94mm
RS Best.-Nr. 806-4263
Herst. Teile-Nr.MMBF4119
0,266 €
Stück (Auf einem Gurtabschnitt von 50)
Stück
N 0.2 → 0.6mA 10 V -40 V 40V Single Einfach - SMD SOT-23 3 - - 2.92 x 1.3 x 0.93mm
RS Best.-Nr. 166-3080
Herst. Teile-Nr.MMBF4092
0,114 €
Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Stück
N Min. 15mA 0,2 V –40 V 40V Single Einfach 50 Ω SMD SOT-23 3 - - 2.92 x 1.3 x 0.93mm
RS Best.-Nr. 166-3082
Herst. Teile-Nr.MMBF4119
0,084 €
Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Stück
N 0.2 → 0.6mA 10 V –40 V 40V Single Einfach - SMD SOT-23 3 - - 2.92 x 1.3 x 0.93mm
RS Best.-Nr. 166-3077
Herst. Teile-Nr.MMBF4093
0,073 €
Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Stück
N Min. 8mA 0,2 V –40 V 40V Single Einfach 80 Ω SMD SOT-23 3 - - 2.92 x 1.3 x 0.93mm
RS Best.-Nr. 806-4302
Herst. Teile-Nr.MMBFJ110
0,333 €
Stück (In einer VPE à 25)
Stück
N Min. 10mA 15 V -25 V 25V Single Einfach 18Ω SMD SOT-23 3 85pF 85pF 2.92 x 1.4 x 0.94mm
RS Best.-Nr. 806-4282
Herst. Teile-Nr.MMBF5103
0,248 €
Stück (In einer VPE à 50)
Stück
N 10 → 40mA 20 V -40 V 40V Single Einfach - SMD SOT-23 3 - - 2.9 x 1.3 x 1.04mm
RS Best.-Nr. 166-3094
Herst. Teile-Nr.MMBFJ176
0,116 €
Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Stück
P -2 → -25mA 15 V +30 V -30V Single Einfach 250 Ω SMD SOT-23 3 - - 2.92 x 1.3 x 0.93mm
RS Best.-Nr. 792-5167
Herst. Teile-Nr.2SK3557-7-TB-E
0,324 €
Stück (In einer VPE à 20)
Stück
N 16 → 32mA 15 V - -15V Single Einfach - SMD CP 3 10pF 2.9pF 2.9 x 1.5 x 1.1mm
RS Best.-Nr. 2508963606
Herst. Teile-Nr.NTE312
2,40 €
Stück
Stück
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RS Best.-Nr. 2508956507
Herst. Teile-Nr.NTE451
2,00 €
Stück
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RS Best.-Nr. 2508963583
Herst. Teile-Nr.NTE133
4,49 €
Stück
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RS Best.-Nr. 2508963612
Herst. Teile-Nr.NTE457
1,58 €
Stück
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