IGBT

IGBT-Transistoren (bipolare Transistoren mit isoliertem Gate) sind Halbleiter, die hauptsächlich als Schalteinheiten verwendet werden, um den Stromfluss zu ermöglichen oder zu stoppen. Sie haben viele Vorteile, da sie eine Mischung zwischen zwei der gängigsten Transistoren, Bipolartransistoren und MOSFET, bilden.

Wie funktionieren IGBT-Transistoren?

IGBT-Transistoren sind Drei-End-Einheiten, die eine Spannung an einen Halbleiter anlegen und seine Eigenschaften ändern, um den Leistungsfluss im ausgeschalteten Zustand zu blockieren und den Leistungsfluss im eingeschalteten Zustand zu ermöglichen. Sie werden durch eine Metalloxid-Halbleiter-Gate-Struktur gesteuert. IGBT-Transistoren werden häufig zum Schalten von elektrischer Energie in Anwendungen wie Schweißen, Elektroautos, Klimaanlagen, Züge und unterbrechungsfreie Stromversorgungen eingesetzt.

Welche verschiedenen Arten von IGBT-Transistoren gibt es?

Es gibt verschiedene Arten von IGBT-Transistoren, die nach Parametern wie maximale Spannung, Kollektorstrom, Gehäuseart und Schaltgeschwindigkeit kategorisiert sind. Der Typ des ausgewählten IGBT-Transistors ist abhängig von der genauen Leistungsstufe und den zu berücksichtigenden Anwendungen.

Was ist der Unterschied zwischen MOSFETs und IGBTs?

Ein IGBT hat einen deutlich niedrigeren Durchlassspannungsabfall im Vergleich mit einem konventionellen MOSFET in Einheiten mit höherer Sperrspannung. MOSFETs zeichnen sich jedoch durch eine geringere Durchlassspannung bei niedrigeren Stromdichten aus, da die Diode Vf im Ausgang BJT des IGBT fehlt.

Ein IGBT-Modul (isolierter Bipolartransistor mit isoliertem Gate) besteht aus einem oder mehreren IGBTs und wird aufgrund seiner Zuverlässigkeit in vielen Industrieanlagen eingesetzt. IGBT-Transistoren sind eine Mischung zwischen Bipolartransistoren (BJTs) und MOSFET. Sie sind höchst effizient und schnell und verfügen über eine hohe Strom- und niedrige Sättigungsspannung.

Was sind typische Anwendungen von IGBTs?

  • Elektromotoren
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgungen
  • Solarmodul-Installationen
  • Schweißgeräte
  • Spannungswandler und Invertoren
  • Induktionsladegeräte
  • Induktionsherde

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Beschreibung Preis Dauer-Kollektorstrom max. Kollektor-Emitter- Gate-Source Spannung max. Anzahl an Transistoren Verlustleistung max. Gehäusegröße Konfiguration Montage-Typ Channel-Typ Pinanzahl Schaltgeschwindigkeit Transistor-Konfiguration Abmessungen Automobilstandard
RS Best.-Nr. 805-1753
Herst. Teile-Nr.NGB8207ABNT4G
MarkeLittelfuse
1,298 €
Stück (In einer VPE à 5)
Stück
50 A 365 V ±15V - 165 W D2PAK (TO-263) - SMD N 3 - Einfach 10.29 x 9.65 x 4.83mm -
RS Best.-Nr. 802-1771
Herst. Teile-Nr.NGB8245NT4G
MarkeLittelfuse
1,392 €
Stück (In einer VPE à 5)
Stück
50 A 500 V 500V - 150 W D2PAK (TO-263) - SMD N 3 - Einfach 9.65 x 10.29 x 4.83mm -
RS Best.-Nr. 171-0128
Herst. Teile-Nr.NGB8207ABNT4G
MarkeLittelfuse
0,708 €
Stück (Auf einer Rolle von 800)
Stück
50 A 365 V ±15V - 165 W D2PAK (TO-263) - SMD N 3 - Einfach 10.29 x 9.65 x 4.83mm -
RS Best.-Nr. 794-4635
Herst. Teile-Nr.MG06400D-BN4MM
MarkeLittelfuse
103,65 €
Stück
Stück
460 A 600 V ±20V - 1400 W 62MM-Modul Serie Frontplattenmontage N 7 1MHz Serie 108 x 62 x 30.5mm -
RS Best.-Nr. 171-0129
Herst. Teile-Nr.NGB8207BNT4G
MarkeLittelfuse
0,468 €
Stück (Auf einer Rolle von 800)
Stück
20 A 365 V ±15V - 165 W D2PAK (TO-263) - SMD N 3 - Einfach 10.29 x 9.65 x 4.83mm -
RS Best.-Nr. 805-1756
Herst. Teile-Nr.NGB8207BNT4G
MarkeLittelfuse
0,484 €
Stück (Auf einem Gurtabschnitt von 5)
Stück
20 A 365 V ±15V - 165 W D2PAK (TO-263) - SMD N 3 - Einfach 10.29 x 9.65 x 4.83mm -
RS Best.-Nr. 165-9893
Herst. Teile-Nr.MG06400D-BN4MM
MarkeLittelfuse
100,829 €
Stück (In in einem Beutel mit 30)
Stück
460 A 600 V ±20V - 1400 W 62MM-Modul Serie Frontplattenmontage N 7 1MHz Serie 108 x 62 x 30.5mm -