MOSFET

MOSFETs, auch MOSFET-Transistoren, steht für "Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors" (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren). MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. Der "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Regelung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt. MOSFETs funktionieren ähnlich wie ein Schalter und werden zum Schalten oder Verstärken elektronischer Signale verwendet.

Diese Halbleitergeräte sind integrierte Schaltkreise (Integrated Circuit, IC), die auf Leiterplatten montiert sind. MOSFETs sind in einer Reihe von Standardgehäusetypen wie DPAK, D2PAK, DFN, I2PAK, SOIC, SOT-223 und TO-220 erhältlich. Für weitere Informationen über MOSFETs siehe unsere vollständige Anleitung zu MOSFETs.

Was sind der Verarmungs- und der Anreicherungstyp?

MOSFET-Transistoren haben zwei Modi: Verarmung und Anreicherung. Verarmungs-MOSFETs funktionieren wie ein geschlossener Schalter. Der Strom fließt, wenn kein Strom angelegt wird. Der Stromfluss wird unterbrochen, wenn eine negative Spannung angelegt wird. Anreicherungsmodus-MOSFETs sind wie ein variabler Widerstand und im Allgemeinen beliebter als Verarmungstyp-MOSFETs. Sie sind in N-Kanal- oder P-Kanal-Varianten erhältlich.

Wie funktionieren MOSFETs?

Die Stifte auf einem MOSFET-Gehäuse sind Quelle, Gate und Drain. Wenn zwischen den Gate- und den Quellklemmen eine Spannung angelegt wird, kann Strom vom Drain zu den Quellstiften fließen. Wenn sich die an das Gate angelegte Spannung ändert, ändert sich auch der Widerstand vom Drain zur Quelle. Je niedriger die angelegte Spannung, desto höher der Widerstand. Wenn die Spannung steigt, sinkt der Widerstand zwischen Drain und Quelle. Leistungs-MOSFETs sind wie Standard-MOSFETs, aber für einen höheren Leistungsgrad ausgelegt.

N-Kanal- im Vergleich mit P-Kanal-MOSFETs

N-Kanal-MOSFETs enthalten zusätzliche Elektronen, die sich frei bewegen können. Sie sind der beliebtere Kanaltyp. N-Kanal-MOSFETs funktionieren, wenn eine positive Ladung an den Gate-Anschluss angelegt wird.

P-Kanal-MOSFETS enthalten Elektronen und Elektronenlöcher in ihrem Substrat. P-Kanal-MOSFETs sind mit einer positiven Spannung verbunden. Diese MOSFETs schalten sich ein, wenn die an den Gate-Anschluss angelegte Spannung niedriger als die Quellspannung ist.


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Beschreibung Preis Channel-Typ Dauer-Drainstrom max. Drain-Source-Spannung max. Drain-Source-Widerstand max. Gehäusegröße Gate-Schwellenspannung max. Montage-Typ Gate-Schwellenspannung min. Pinanzahl Gate-Source Spannung max. Channel-Modus Verlustleistung max. Transistor-Konfiguration Anzahl der Elemente pro Chip
RS Best.-Nr. 826-7548
Herst. Teile-Nr.R6015ANX
MarkeROHM
4,295 €
Stück (In einer VPE à 2)
Stück
N 15 A 600 V 300 mΩ TO-220FM 4.5V Durchsteckmontage - 3 -30 V, +30 V Enhancement 50 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 363-364
Herst. Teile-Nr.RTF015N03TL
MarkeROHM
0,179 €
Stück (In einer VPE à 10)
Stück
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RS Best.-Nr. 826-7769
Herst. Teile-Nr.RSJ300N10TL
MarkeROHM
1,466 €
Stück (In einer VPE à 5)
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N 30 A 100 V 59 mΩ SC-83 2.5V SMD - 3 -20 V, +20 V Enhancement 50 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 178-633
Herst. Teile-Nr.RSU002P03T106
MarkeROHM
0,15 €
Stück (In einer VPE à 10)
Stück
P 250 mA 30 V 1,4 Ω SOT-323 (SC-70) 2.5V SMD - 3 -20 V, +20 V Enhancement 200 mW Einfach 1
RS Best.-Nr. 363-398
Herst. Teile-Nr.RTR040N03TL
MarkeROHM
0,196 €
Stück (In einer VPE à 10)
Stück
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RS Best.-Nr. 124-6834
Herst. Teile-Nr.RU1C001UNTCL
MarkeROHM
0,078 €
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Stück
N 100 mA 20 V 18 Ω SOT-323FL 1V SMD 0.3V 3 –8 V, +8 V Enhancement 150 mW - 1
RS Best.-Nr. 826-7813
Herst. Teile-Nr.RUR040N02TL
MarkeROHM
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Stück
N 4 A 20 V 110 mΩ TSMT 1.3V SMD - 3 -10 V, +10 V Enhancement 1 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 133-3303
Herst. Teile-Nr.RQ5L015SPTL
MarkeROHM
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P 1,5 A 60 V 360 mΩ SOT-346T (SC-96) 3V SMD 1V 3 -20 V, +20 V Enhancement 1 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 133-2835
Herst. Teile-Nr.RSD046P05TL
MarkeROHM
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P 4,5 A 45 V 260 mΩ SOT-428 3V SMD 1V 3 + Tab -20 V, +20 V Enhancement 15 W Einfach 1
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Herst. Teile-Nr.RQ5C060BCTCL
MarkeROHM
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Stück (In einer VPE à 25)
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P 6 A 20 V 51 mΩ SOT-346T (SC-96) 1.2V SMD 0.5V 3 –8 V, +8 V Enhancement 1 W Einfach 1
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Herst. Teile-Nr.RV1C001ZPT2L
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Stück (In einer VPE à 100)
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P 100 mA 20 V 40 Ω DFN 1V SMD 0.3V 3 -10 V, +10 V Enhancement 100 mW Einfach 1
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Herst. Teile-Nr.RSF010P05TL
MarkeROHM
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P 1 A 45 V 690 mΩ SOT-323T 2.5V SMD 1V 3 -20 V, +20 V Enhancement 800 mW Einfach 1
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N 3,7 A 1700 V 1,5 Ω TO-3PFM 4V Durchsteckmontage 1.6V 3 + Tab -6 V, +22 V Enhancement 35 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 133-2839
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N 20 A 100 V 84 mΩ SOT-428 2.5V SMD 1V 3 + Tab -20 V, +20 V Enhancement 20 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 826-7790
Herst. Teile-Nr.RTR020N05TL
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P 14 A 60 V 108 mΩ SOT-428 3V SMD 1V 3 + Tab -20 V, +20 V Enhancement 20 W - 1
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Herst. Teile-Nr.RSD160P05TL
MarkeROHM
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Stück (In einer VPE à 10)
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P 16 A 45 V 70 mΩ SOT-428 3V SMD 1V 3 + Tab -20 V, +20 V Enhancement 20 W - 1
RS Best.-Nr. 133-2856
Herst. Teile-Nr.RYC002N05T316
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N 200 mA 50 V 9 Ω SOT-23 0.8V SMD 0.3V 3 –8 V, +8 V Enhancement 350 mW Einfach 1
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Herst. Teile-Nr.RSD150N06TL
MarkeROHM
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Stück (In einer VPE à 10)
Stück
N 15 A 60 V 51 mΩ SOT-428 3V SMD 1V 3 + Tab -20 V, +20 V Enhancement 20 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 124-6837
Herst. Teile-Nr.RUC002N05T116
MarkeROHM
0,063 €
Stück (In einer VPE à 100)
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N 200 mA 50 V 7,2 Ω SOT-323 (SC-70) 1V SMD 0.3V 3 –8 V, +8 V Enhancement 350 mW - 1