STEVAL-DPSTPFC1 Totem Pole PFC
Das brückenlose Totem-Pole-PFC Eval-Board STEVAL-DPSTPFC1 3.6 kW erreicht eine PFC mit Einschaltstrombegrenzung (ICL).
SiC - Leistungsbauteile
Reduzieren auch Sie die Anzahl der Komponenten und verringern die Komplexität Ihres Designs mit Siliziumkarbid-(SiC) Bauelementen. Innovative Leistungsbauelemente und Evaluierungs-Boards für Ihre nachhaltigen Produkte und Anlagen. Von namhaften Herstellern und auf Lager.
Produktauswahl für Ihren Leistungselektronik-Bedarf
STEVAL-ISA211V1 Converter Kit
Implementiert eine Ein-Schalter-Flyback-Topologie mit isoliertem Ausgang, basierend auf dem Multi-Mode-Controller L6566BH.
ST SiC MOSFETs
STPOWER SiC-MOSFET-Portfolio von ST mit erweitertem Spannungsbereich, bester Schaltleistung und sehr niedrigem Durchlasswiderstand.
ST SiC Dioden
Erhebliche Reduzierung der Verlustleistung, ideal für hart schaltende Anwendungen (Solarwechselrichter, USV usw).
onsemi SiC MOSFETs
Bieten höchste Effizienz durch die Senkung des Leistungsverlusts, eine größere Leistungsdichte sowie eine höhere Betriebsfrequenz.
onsemi SiC Dioden
Die SiC-Dioden umfassen - speziell für Automobil- und Industrieanwendungen - AEC-Q101-qualifizierte und PPAP-fähige Optionen.
2ASC-12A1HP 1200V SiC Treiber
Bauteil Programmierer-Kit und Dev-Boards für die digital programmierbaren Gate-Treiber der 2ASC-12 Produktfamilie.
2ASC-17A1HP 1700V SiC Treiber
Bauteil Programmierer-Kit und Dev-Boards für die digital programmierbaren Gate-Treiber der 2ASC-17 Produktfamilie.
Infineon SiC MOSFETs
CoolSiC™ SiC-MOSFETs, hergestellt in einem hochmodernen Trench-Halbleiterprozess , der Leistung und Zuverlässigkeit miteinander verbindet
Infineon SiC Dioden
CoolSiC™ SiC-Schottky-Barrier-Dioden bieten beste Durchlassspannung, den geringsten Anstieg des V(F) und höchste Überstromfestigkeit.
EVAL_3K3W_TP_PFC_SIC Board
3300W CCM bi-direktionale Totempol-PFC-Einheit von Infineon mit CoolSiC™ 650V , 600V CoolMOS™ C7 und digitaler Steuerung mit XMC™.
Rohm SiC MOSFETs
ROHMs SCT3 SiC Trench-MOSFETs mit hoher Spannungsfestigkeit, niedrigem Durchlasswiderstand und hoher Schaltgeschwindigkeit.