- RS Best.-Nr.:
- 187-9333
- Herst. Teile-Nr.:
- M3S0-8GSSULQE
- Marke:
- InnoDisk
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- Ursprungsland:
- TW
Produktdetails
InnoDisk Industrial Grade DDR3L VLP (sehr flaches Profil) SO-DIMM
Die industrietauglichen DDR3 SO-DIMMs von InnoDisk eignen sich ideal für den Einsatz in Büroumgebungen mit begrenzter Heizungs- und Lüftungskapazität. Die Serie umfasst qualitativ hochwertige Speichermodule, die speziell für industrielle/eingebettete Computer, Automatisierungs- und Systembuilds entwickelt wurden, bei denen die Produktqualität für eine langfristige Bereitstellung von entscheidender Bedeutung ist.
Die DRAM-Module von InnoDisk sind nach den Anforderungen verschiedener Systeme kategorisiert und unterstützen DDR4, DDR3, DDR2, DDR und SDRAM. Unsere DRAM-Module sind erhältlich in Embedded, Server, Wide Temperature.
Die industrietauglichen DDR3 SO-DIMMs von InnoDisk eignen sich ideal für den Einsatz in Büroumgebungen mit begrenzter Heizungs- und Lüftungskapazität. Die Serie umfasst qualitativ hochwertige Speichermodule, die speziell für industrielle/eingebettete Computer, Automatisierungs- und Systembuilds entwickelt wurden, bei denen die Produktqualität für eine langfristige Bereitstellung von entscheidender Bedeutung ist.
Die DRAM-Module von InnoDisk sind nach den Anforderungen verschiedener Systeme kategorisiert und unterstützen DDR4, DDR3, DDR2, DDR und SDRAM. Unsere DRAM-Module sind erhältlich in Embedded, Server, Wide Temperature.
IC Organisation: 512Mx8 (Rang 2 | Seite 2).
1866 MHz Taktfrequenz, aber Taktfrequenz bis 1600 MHz, 1333 MHz, 1066 MHz und 800 MHz
Unterstützt 1,35 V oder 1,5 V Betriebsspannung.
Sehr flaches Profil Spezialisiert für den Einsatz in 1U-Systemen.
Leiterplattenhöhe 1,0 Zoll.
Nur mit Original Samsung IC gebaut.
Optimiert für Stabilität und Leistung.
Kontrollierter BoM.
1866 MHz Taktfrequenz, aber Taktfrequenz bis 1600 MHz, 1333 MHz, 1066 MHz und 800 MHz
Unterstützt 1,35 V oder 1,5 V Betriebsspannung.
Sehr flaches Profil Spezialisiert für den Einsatz in 1U-Systemen.
Leiterplattenhöhe 1,0 Zoll.
Nur mit Original Samsung IC gebaut.
Optimiert für Stabilität und Leistung.
Kontrollierter BoM.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Desktop/Laptop | Laptop |
Kapazität | 8 GB |
Industrieausführung | Ja |
Geschwindigkeit | 1866MHz |
Speicherklasse | DDR3L |
Speichersteckplatz | SODIMM |
Kontakte | 204 |
Spannung | 1.35V |
CAS-Latenz | 13 |
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