onsemi MJE15030G THT, NPN Transistor 150 V / 8 A 30 MHz, TO-220AB 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 125-0072
- Herst. Teile-Nr.:
- MJE15030G
- Marke:
- onsemi
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Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (In einer Stange von 50)
1,158 €
(ohne MwSt.)
1,378 €
(inkl. MwSt.)
| Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
| 50 - 50 | 1,158 € | 57,90 € |
| 100 - 450 | 0,92 € | 46,00 € |
| 500 - 950 | 0,779 € | 38,95 € |
| 1000 - 2450 | 0,636 € | 31,80 € |
| 2500 + | 0,635 € | 31,75 € |
| *Bitte VPE beachten | ||
- RS Best.-Nr.:
- 125-0072
- Herst. Teile-Nr.:
- MJE15030G
- Marke:
- onsemi
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CZ
Produktdetails
NPN-Leistungstransistoren, ON Semiconductor
Normen
Hersteller-Teilenummern mit NSV-Präfix sind gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassen.
Der on Semiconductor MJE15030G ist ein 150-V-, 8-A-NPN-Bipolartransistor in einem TO-220-3-Gehäuse. Dieser bipolare Leistungstransistor ist für den Einsatz als Hochfrequenztreiber in Audioverstärkeranwendungen vorgesehen.
• Hohe Gleichstromverstärkung
• Hohe Stromverstärkung - Bandbreiten-Produkt
• durchkontaktiertes TO-220-Gehäuse
• Hohe Gleichstromverstärkung
• Hohe Stromverstärkung - Bandbreiten-Produkt
• durchkontaktiertes TO-220-Gehäuse
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Transistor-Typ | NPN |
| DC Kollektorstrom max. | 8 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 150 V |
| Gehäusegröße | TO-220AB |
| Montage-Typ | THT |
| Verlustleistung max. | 50 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Kollektor-Basis-Spannung max. | 150 V |
| Basis-Emitter Spannung max. | 5 V |
| Arbeitsfrequenz max. | 30 MHz |
| Pinanzahl | 3 |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Abmessungen | 9.28 x 10.28 x 4.82mm |