onsemi NST65010MW6G SMD, PNP Transistor Dual -65 V / -100 mA 100 MHz, SOT-363 (SC-88) 6-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 145-4061
- Herst. Teile-Nr.:
- NST65010MW6T1G
- Marke:
- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
Bipolare abgestimmte Doppeltransistoren, ON Semiconductor
Paare von bipolaren NPN- oder PNP-Transistoren in einem einzelnen Gehäuse für Basis-Emitter-Spannung (VBE) und Stromverstärkung (hFE).
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Transistor-Typ | PNP |
| DC Kollektorstrom max. | -100 mA |
| Kollektor-Emitter-Spannung | -65 V |
| Gehäusegröße | SOT-363 (SC-88) |
| Montage-Typ | SMD |
| Verlustleistung max. | 380 mW |
| Gleichstromverstärkung min. | 220 |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert |
| Kollektor-Basis-Spannung max. | –80 V |
| Basis-Emitter Spannung max. | –5 V |
| Arbeitsfrequenz max. | 100 MHz |
| Pinanzahl | 6 |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Abmessungen | 2.2 x 1.35 x 1mm |
- RS Best.-Nr.:
- 145-4061
- Herst. Teile-Nr.:
- NST65010MW6T1G
- Marke:
- onsemi
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