onsemi PN2907ATFR THT, PNP Transistor –60 V / -800 mA 100 MHz, TO-92 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 166-3117
- Herst. Teile-Nr.:
- PN2907ATFR
- Marke:
- onsemi
Zwischensumme (1 Rolle mit 2000 Stück)*
104,00 €
(ohne MwSt.)
124,00 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 09. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 2000 + | 0,052 € | 104,00 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 166-3117
- Herst. Teile-Nr.:
- PN2907ATFR
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Transistor-Typ | PNP | |
| DC Kollektorstrom max. | -800 mA | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | –60 V | |
| Gehäusegröße | TO-92 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Verlustleistung max. | 625 mW | |
| Gleichstromverstärkung min. | 100 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Kollektor-Basis-Spannung max. | –60 V | |
| Basis-Emitter Spannung max. | –5 V | |
| Arbeitsfrequenz max. | 100 MHz | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Abmessungen | 5.2 x 4.19 x 5.33mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Transistor-Typ PNP | ||
DC Kollektorstrom max. -800 mA | ||
Kollektor-Emitter-Spannung –60 V | ||
Gehäusegröße TO-92 | ||
Montage-Typ THT | ||
Verlustleistung max. 625 mW | ||
Gleichstromverstärkung min. 100 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Kollektor-Basis-Spannung max. –60 V | ||
Basis-Emitter Spannung max. –5 V | ||
Arbeitsfrequenz max. 100 MHz | ||
Pinanzahl 3 | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Abmessungen 5.2 x 4.19 x 5.33mm | ||
Kleinsignal-PNP-Transistoren, 60 V bis 160 V, Fairchild Semiconductor
Bipolare Transistoren, Fairchild Semiconductor
Eine breite Palette an bipolaren Junction-Transistoren (BJT) bietet komplette Lösungen für verschiedene Stromkreisanwendungsanforderungen. Innovative Gehäuse bieten minimale Größe, höchste Zuverlässigkeit und maximale Wärmeleistung.