- RS Best.-Nr.:
- 184-1097
- Herst. Teile-Nr.:
- SMMBT5551LT1G
- Marke:
- onsemi
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- RS Best.-Nr.:
- 184-1097
- Herst. Teile-Nr.:
- SMMBT5551LT1G
- Marke:
- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
Der bipolare Hochspannungs-NPN-Transistor wurde für allgemeine Schaltanwendungen entwickelt. Das Gerät befindet sich im SOT-23-Gehäuse, das für SMD-Anwendungen mit geringerer Leistung entwickelt wurde.
Miniatur-SOT-23-SMD-Gehäuse spart Platinenplatz
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Transistor-Typ | NPN |
DC Kollektorstrom max. | 600 mA |
Kollektor-Emitter-Spannung | 160 V |
Gehäusegröße | SOT-23 |
Montage-Typ | SMD |
Verlustleistung max. | 300 mW |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Kollektor-Basis-Spannung max. | 160 V |
Basis-Emitter Spannung max. | 6 V |
Pinanzahl | 3 |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Abmessungen | 3.04 x 1.4 x 1.01mm |