onsemi MJD44H11-1G SMD, NPN Transistor 80 V dc / 8 A 1 MHz, DPAK (TO-252) 3 + Tab-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 184-4311
- Herst. Teile-Nr.:
- MJD44H11-1G
- Marke:
- onsemi
Voraussichtlich ab 30.09.2024 verfügbar.
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (In einer Stange von 75)
0,42 €
(ohne MwSt.)
0,50 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 75 - 675 | 0,42 € | 31,50 € |
| 750 - 1425 | 0,364 € | 27,30 € |
| 1500 + | 0,355 € | 26,625 € |
*Bitte VPE beachten
- RS Best.-Nr.:
- 184-4311
- Herst. Teile-Nr.:
- MJD44H11-1G
- Marke:
- onsemi
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- MY
Produktdetails
Der Bipolar-Leistungstransistor ist für allgemeine Leistungs- und Schaltausgänge oder Treiberstufen in Anwendungen wie Schaltreglern, Wandlern und Leistungsverstärkern ausgelegt.
Kabel für Oberflächenmontage in Kunststoffhülsen (ohne Suffix)
Ausführung mit geraden Ableitungen in Kunststoffhülsen ("-1" Suffix)
Ausführung mit Vorband in 16-mm-Band und Rolle für Oberflächenmontage (Suffix "T4")
Elektrisch ähnlich wie bei den gängigen Serien D44H/D45H
Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VCE(sat) = 1,0 Volt Max. Bei 8,0 Ampere
Hohe Schaltgeschwindigkeiten
Komplementäre Paare Vereinfachen Designs
Diese Geräte sind pbfrei
Ausführung mit geraden Ableitungen in Kunststoffhülsen ("-1" Suffix)
Ausführung mit Vorband in 16-mm-Band und Rolle für Oberflächenmontage (Suffix "T4")
Elektrisch ähnlich wie bei den gängigen Serien D44H/D45H
Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VCE(sat) = 1,0 Volt Max. Bei 8,0 Ampere
Hohe Schaltgeschwindigkeiten
Komplementäre Paare Vereinfachen Designs
Diese Geräte sind pbfrei
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Transistor-Typ | NPN |
| DC Kollektorstrom max. | 8 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 80 V dc |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) |
| Montage-Typ | SMD |
| Verlustleistung max. | 20 W |
| Gleichstromverstärkung min. | 60 |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Basis-Emitter Spannung max. | 5 V dc |
| Arbeitsfrequenz max. | 1 MHz |
| Pinanzahl | 3 + Tab |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Abmessungen | 6.73 x 2.38 x 6.22mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
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