onsemi BC848CPDW1T1G SMD, NPN/PNP Transistor Dual 30 V / 200 mA 100 MHz, SOT-363 6-Pin

RS Best.-Nr.:: 184-4919
Herst. Teile-Nr.:: BC848CPDW1T1G
Marke:: onsemi

onsemi BC848CPDW1T1G SMD, NPN/PNP Transistor Dual 30 V / 200 mA 100 MHz, SOT-363 6-Pin

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Preis pro Stück (In einer VPE à 100)

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Stück	Pro Stück	Pro Packung*
100 - 900	0,059 €	5,90 €
1000 - 2900	0,042 €	4,20 €
3000 +	0,033 €	3,30 €

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RS Best.-Nr.:: 184-4919
Herst. Teile-Nr.:: BC848CPDW1T1G
Marke:: onsemi

Mehr Infos und technische Dokumente

Datasheet BC848CPDW1T1G

Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: CN

Produktdetails

Universal-NPN-Transistoren, bis zu 1 A, ON Semiconductor

Normen

Hersteller-Teilenummern mit S oder NSV als Präfix sind gemäß der Norm AEC-Q101 für die Automobilindustrie zugelassen.

Der zweifache NPN PNP Bipolartransistor wurde für allgemeine Verstärkeranwendungen entwickelt. Er ist im Gehäuse SOT-363/SC-88 untergebracht, das für oberflächenmontierbare Anwendungen mit geringer Leistungsaufnahme ausgelegt ist.

S Präfix für Automobil- und andere Anwendungen, die besondere Anforderungen an Standort- und Kontrolländerungen erfordern, PPAP-fähig
Diese Geräte sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Transistor-Typ	NPN/PNP
DC Kollektorstrom max.	200 mA
Kollektor-Emitter-Spannung	30 V
Gehäusegröße	SOT-363
Montage-Typ	SMD
Verlustleistung max.	380 mW
Gleichstromverstärkung min.	420
Kollektor-Basis-Spannung max.	30 V
Basis-Emitter Spannung max.	6 V
Arbeitsfrequenz max.	100 MHz
Pinanzahl	6
Anzahl der Elemente pro Chip	2
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Abmessungen	2.2 x 1.35 x 1mm