onsemi MMBT589LT1G SMD, PNP Digitaler Transistor –30 V, SOT-23 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 186-7174
- Herst. Teile-Nr.:
- MMBT589LT1G
- Marke:
- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Niedrige VCE(sat) Bipolartransistoren sind oberflächenmontierte Miniaturgeräte mit extrem niedriger Sättigungsspannung VCE(sat) und hoher Stromverstärkung. Diese sind für den Einsatz in Anwendungen mit niedriger Spannung und hoher Geschwindigkeit konzipiert, bei denen eine kostengünstige effiziente Energiesteuerung wichtig ist.
Low rDS(on) sorgt für höhere Effizienz und verlängert die Akkulaufzeit
Mini-SOT-23-SMD-Gehäuse spart Platz auf der Platine
Bleifreie Gehäuse sind verfügbar
NSV-Präfix für Automobil- und andere Anwendungen, die besondere Anforderungen an Standort- und Kontrolländerungen erfordern, PPAP-fähig
Mini-SOT-23-SMD-Gehäuse spart Platz auf der Platine
Bleifreie Gehäuse sind verfügbar
NSV-Präfix für Automobil- und andere Anwendungen, die besondere Anforderungen an Standort- und Kontrolländerungen erfordern, PPAP-fähig
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Transistor-Typ | PNP |
| Kollektor-Emitter-Spannung | –30 V |
| Gehäusegröße | SOT-23 |
| Montage-Typ | SMD |
| Verlustleistung max. | 710 mW |
| Gleichstromverstärkung min. | 100 |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Basis-Emitter Spannung max. | -5 V dc |
| Pinanzahl | 3 |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Abmessungen | 3.04 x 1.4 x 1.01mm |