onsemi BD241CG THT, NPN Digitaler Transistor 115 V, TO-220 3-Pin

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RS Best.-Nr.:
186-7353
Herst. Teile-Nr.:
BD241CG
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Transistor-Typ

NPN

Kollektor-Emitter-Spannung

115 V

Gehäusegröße

TO-220

Montage-Typ

THT

Verlustleistung max.

40 W

Gleichstromverstärkung min.

2.5

Transistor-Konfiguration

Einfach

Basis-Emitter Spannung max.

5 V dc

Pinanzahl

3

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Abmessungen

10.53 x 4.83 x 9.28mm

Ursprungsland:
CN
Der 3 A, 100 V PNP Bipolartransistor für den Einsatz in allgemeinen Verstärker- und Schaltanwendungen. BD241C (NPN), BD242B (PNP) und BD242C (PNP) sind ergänzende Geräte.

Collector-Emitter-Sättigungsspannung - VCE = 1,2 Vdc (max.) bei IC = 3,0 Adc
Haltespannung des Kollektor-Emitters - VCEO(sus) = 80 Vdc (min.) BD242B = 100 Vdc (min.) BD241C, BD242C
Hohe Stromverstärkung - Bandbreite ProductfT = 3,0 MHz (min.) bei IC = 500 mADC
Kompaktes TO-220 AB-Paket
Bleifreie Gehäuse sind verfügbar

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