onsemi Durchsteckmontage Digitaler Transistor NPN 80 V dc TO-220 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 186-7368
- Herst. Teile-Nr.:
- BDX53BG
- Marke:
- onsemi
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| 250 - 450 | 0,526 € | 26,30 € |
| 500 - 950 | 0,451 € | 22,55 € |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 186-7368
- Herst. Teile-Nr.:
- BDX53BG
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | Digitaler Transistor | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 80V dc | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Kollektor-Basis Spannung max. VCBO | 80V dc | |
| Polarität des Transistors | NPN | |
| DC-Stromverstärkung min. hFE | 750 | |
| Emitter-Basisspannung max. VEBO | 5V dc | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 65W | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Serie | BDX53B | |
| Länge | 10.53mm | |
| Höhe | 9.28mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ Digitaler Transistor | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 80V dc | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Kollektor-Basis Spannung max. VCBO 80V dc | ||
Polarität des Transistors NPN | ||
DC-Stromverstärkung min. hFE 750 | ||
Emitter-Basisspannung max. VEBO 5V dc | ||
Maximale Verlustleistung Pd 65W | ||
Pinanzahl 3 | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Serie BDX53B | ||
Länge 10.53mm | ||
Höhe 9.28mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Bipolartransistor mit 8 A, 100 V, 65 W PNP Darlington, ist für allgemeine und langsame Schaltanwendungen konzipiert. Die BDX53B, BDX53C, BDX54B und BDX54C sind ergänzende Geräte.
Hohe DC-Stromverstärkung hFE = 2500 (Typ) bei IC = 4,0 Adc
Kollektor-Emitter-Haltespannung bei 100 mADC VCEO(sus) = 80 Vdc (min.) BDX53B, 54B VCEO(sus) = 100 Vdc (min.) - BDX53C, 54C
Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VCE(sat) = 2,0 Vdc (max.) @ IC = 3,0 Adc VCE(sat) = 4,0 Vdc (max.) @ IC = 5,0 Adc
Monolithische Konstruktion mit integrierten Shunt-Widerständen mit Base-Emitter
Zu-220AB Kompaktgehäuse
Bleifreie Gehäuse sind verfügbar
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