onsemi MJB45H11G SMD, PNP Digitaler Transistor –80 V, D2PAK (TO-263) 2 + Tab-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 186-8019
- Herst. Teile-Nr.:
- MJB45H11G
- Marke:
- onsemi
Preis pro 1 Packung mit 10 Stück
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Packung(en) | Pro Packung | Pro Stück* |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 10,67 € | 1,067 € |
| 10 - 24 | 7,99 € | 0,799 € |
| 25 - 49 | 7,91 € | 0,791 € |
| 50 - 99 | 6,77 € | 0,677 € |
| 100 + | 5,52 € | 0,552 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 186-8019
- Herst. Teile-Nr.:
- MJB45H11G
- Marke:
- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- MY
Produktdetails
Der bipolare PNP-Leistungstransistor ist für die allgemeine Leistungsverstärkung und das Schalten wie Ausgangs- oder Treiberstufen in Anwendungen wie Schaltreglern, Wandlern und Leistungsverstärkern ausgelegt. Die MJB44H11 (NPN) und MJB45H11 (PNP) sind ergänzende Geräte.
Niedrige Sättigungsspannung des Kollektor-Emitter -
VCE(sat) = 1,0 V (max.) @ 8,0 A
Hohe Schaltgeschwindigkeiten
Komplementäre Paare Vereinfachen Designs
NJV-Präfix für Automobil- und andere Anwendungen, die besondere Anforderungen an Standort- und Kontrolländerungen erfordern, PPAP-fähig
PbFree Pakete sind verfügbar
VCE(sat) = 1,0 V (max.) @ 8,0 A
Hohe Schaltgeschwindigkeiten
Komplementäre Paare Vereinfachen Designs
NJV-Präfix für Automobil- und andere Anwendungen, die besondere Anforderungen an Standort- und Kontrolländerungen erfordern, PPAP-fähig
PbFree Pakete sind verfügbar
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Transistor-Typ | PNP |
| Kollektor-Emitter-Spannung | –80 V |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) |
| Montage-Typ | SMD |
| Verlustleistung max. | 50 W |
| Gleichstromverstärkung min. | 60 |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Basis-Emitter Spannung max. | 5 V dc |
| Pinanzahl | 2 + Tab |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Abmessungen | 10.29 x 9.65 x 4.83mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
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