onsemi MJF47G THT, NPN Digitaler Transistor 250 V, TO-220 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 186-8029
- Herst. Teile-Nr.:
- MJF47G
- Marke:
- onsemi
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Technische Daten
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Transistor-Typ | NPN | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 250 V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Verlustleistung max. | 28,4 W | |
| Gleichstromverstärkung min. | 30 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Basis-Emitter Spannung max. | 5 V dc | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Abmessungen | 10.53 x 4.83 x 9.28mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Transistor-Typ NPN | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 250 V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montage-Typ THT | ||
Verlustleistung max. 28,4 W | ||
Gleichstromverstärkung min. 30 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Basis-Emitter Spannung max. 5 V dc | ||
Pinanzahl 3 | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Abmessungen 10.53 x 4.83 x 9.28mm | ||
- Ursprungsland:
- KR
Der Bipolar-Hochleistungs-NPN-Transistor wurde für leitungsbetriebene Audioausgangsverstärker, Schaltnetzwerktreiber und andere Schaltanwendungen entwickelt, bei denen die Montagefläche des Geräts vom Kühlkörper oder Gehäuse galvanisch getrennt werden muss.
Elektrisch ähnlich wie beim beliebten TIP47
250 VCEO(sus)
1 A Nennstrom des Kollektors
Keine Trennscheiben erforderlich
Geringere Systemkosten
Bleifreies Gehäuse erhältlich
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1 A Nennstrom des Kollektors
Keine Trennscheiben erforderlich
Geringere Systemkosten
Bleifreies Gehäuse erhältlich
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